薄膜电阻率理论.docxVIP

金属薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系唐武］，邓龙江1，徐可为2，JianLu3 （1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054）（2,西安交通大学，陕西西安710049） 金属电阻形成的根源是自由电子发生碰撞，从而失去了从外电场获得的定向速度。这种碰撞可能发生于电子-晶格、电子-杂质、电子-晶界、电子-表面。在块体材料中，电子-表面碰撞的次数在总的碰撞次数中所占比率极小，可以忽略，因而块体材料的电阻率与物体尺寸无关。但对薄膜而言，当其表面特征尺寸可与该温度下电子自由程相当时，电子-薄膜的表面碰撞为非镜面反射（即反射方向与入射方向无关，亦即漫反射），电阻率就会随表面状态改变。 在薄膜材料中，由于厚度很小，所以在电子表面碰撞过程中的电子损失速度不可忽略。由此对薄膜材料的电阻率造成影响。 通常情况下电阻率随粗糙度的增大而增大。 456789^/nm图1薄膜电阻率随表面粗糙度的变化法奇斯（Fuchs）.桑德海默尔（Sondheimer）理论：F-S0（1+首）（1） 式（1）是在假设薄膜电子完全发生漫反射时的电阻率。实际情况下反射率与基底粗糙度有关，粗糙度越大，发生漫反射比例越高，当表面粗糙度为0或者镜面时，将发生完全镜面反射，此时根据式（1）可得到薄膜电阻与块状电阻率相等的关系。设镜面反射所占比例为P，则此时薄膜电阻率表达式为: 事实上，在研究对象中，薄膜的厚度已经是电子平均自由程的倍以上，按照F-S理论，此时薄膜电阻率的增加是很小的，似乎不足以引起根本性的改变。但实验结果显示，薄膜电阻率随着表面粗糙度的增加而增大，可能的解释是由于薄膜的生长结构所造成。 研究粗糙度对薄膜电阻率的影响： 薄膜表面方向上颗粒尺寸起伏可达到50-75nm,这种J尺寸范围与导电电子的平均自由程很接近，电子与薄g膜表面的碰撞就不能够忽略。表面粗糙度正是对薄膜i的这种表面生长微观结构的综合反映，表面高低起伏T越大，粗糙度值就越大.电子与之碰撞的几率就越多，冬在电场方向降低的传输速度就加快，导致薄膜电导率为下降，相应电阻率升高。也就是说，表面粗糙度越大，卡薄膜电阻率将增大.它虽然不是影响薄膜电阻率的决*定因素，但在表观上却与电阻率有很好的对应关系° 电阻率随残余应力的增大而增大。与晶体取向可能有关。残余应力增加，薄膜晶体扭曲越严重，晶体对电子造成的散射越显著。 听元1A_AI,电PH华勺双市/立刀匕|叫1以4甲冲J立大系，可能和薄膜的晶体取向有关口从前期研究中已经知道，对面心立方金属，薄膜残余应力与晶体取向有内在的联系薄膜残余拉应力随(111)取向增强而增大。薄膜中电阻率的产生与电子?晶格、电子?杂质、电子■晶界、电子■表面的碰撞有关，这就必然会涉及到晶界、晶格和表面的状态。对应于表面能，密排面(111)对应的表面能最小；对应于应变能,(111)取向的晶粒中应变能密度最大。也就是说，随着残余拉应力的增加，薄膜(111)取向呈增强的态势。此时，薄膜中应变能集聚越多，导致晶粒变形越厉害，晶界扭曲程