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磁自旋材料的技术发展与应用 1 铁磁材料的应用 众所周知，质量、压力和旋转是电子信号的三个重要变量。它们被成功地使用，构成了当前信息社会的基础。信息处理、流通领域的集成电路、高频和大功率器件是半导体的电子电荷特性被成功利用的范例。高容量信息存储器件——信息技术领域中一个独立发展的分枝如硬盘、磁带、磁光盘等则是利用了铁磁材料中的电子自旋特性。一个自然的问题是:能否制备出利用电子的电荷和自旋特性同时来工作的高性能的量子器件。如此以来信息存储和信息处理就能同时进行,设备结构可大大简化,功能大大增强。另外,如能通过给半导体注入自旋电流来控制载流子的自旋态,那么就可解决量子计算机的量子位操作问题,快速、功能强大的量子计算机则指日可待。但Si、GaAs等这些当今信息领域的基础材料并不含磁离子(非磁的),他们的磁因子g很小。如果要利用其电子的自旋能级差,则必须有很大的磁场,这很不现实。同时磁性材料和半导体之间有很大区别,虽然它们在信息领域各自占有不可替代的地位,但这两种材料互不相容,一直在彼此独立地发展。因此目前迅速兴起的稀磁半导体和铁磁/半导体异质结材料由于能解决上述问题正日益受到科技界和工业界的瞩目。 2 总结 2.1 -族化合物半导体法 从磁性角度划分,半导体材料可分为铁磁、稀磁(半磁)和非磁等三种(如图1)。稀磁半导体材料(DMS)是非磁半导体和磁性物质的合金,其中的组成离子部分地(1%~20%)被有磁性的过渡金属或稀土金属离子所替代。在没有外磁场的情况下,这类材料具有与非磁半导体相同的性质;反之,则能显示一定的磁性。其中最为重要的一点是其禁带宽度和晶格常数随掺入的磁离子浓度的不同而变化,通过能带剪裁工程可使这些材料应用于各种器件。 铁磁特性和半导体特性共存于一体的研究可追溯到上世纪的六、七十年代,如硫族铕化物在半导体尖晶石中可以产生周期性的磁元素阵列。但这类磁半导体的晶体结构和Si、GaAs等有极大的不同,而且其晶体生长极为困难,很小的晶体通常要花费数周的准备和实施时间。 半导体材料之所以应用广泛,在于可以通过很少量的n型或p型杂质就能改变其特性,因此人们想到了通过掺入磁性离子来改变其磁性的方法。这类磁性半导体的研究先前大多集中在Ⅱ-Ⅵ族半导体如CdTe和ZnS等。这是因为一些磁离子如Mn2+可以很容易地通过代替Ⅱ族阳离子进入Ⅱ-Ⅵ族半导体。但由于存在n型和p型掺杂的困难,限制了其器件应用。 同现代半导体工艺相容的方法是引入高浓度的磁离子使非磁性的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体带磁性。Ⅲ-Ⅴ族半导体广泛应用于现代电器,如手机(蜂窝电话)中的微波晶体管、CD唱盘机中的半导体激光器等。磁离子的引入会给传统的非磁半导体电子、光电子材料带来不同的特性,甚至能由此引发一场新的技术革命。但Ⅲ-Ⅴ族半导体磁性化的主要障碍是磁离子在其中的固溶度太低。由于磁效应大致正比磁离子的浓度,低于1018cm-3固溶度的磁离子起不了什么作用,因此这一研究领域一直裹足不前。但随着材料外延技术的发展,分子束外延技术的低温非平衡生长工艺克服了这一困难。继1989年Munekata等人成功生长出(In,Mn)As之后,(Ga,Mn)As和其它一些Ⅲ-Ⅴ族磁半导体也相继得到了制备。同时,外延生长的铁磁/半导体层异质结薄膜甚至磁共振隧穿二极管也得到了长足的发展。这样与电子自旋相关的新物理现象的探索和新功能电子器件的实现由于这一领域的蓬勃发展而成为可能。 2.2 非平衡态的低温生长 低温MBE生长作为专门的课题很早就得到了研究。在低温生长条件下,由于外延层中含有密度高达1019cm-3的AsGa反位缺陷,这种技术通常用来制作高速光电器件、抗辐射器件和隔离GaAs IC等。磁半导体材料研究领域中,MBE的非平衡态的低温生长(200~300℃)是其关键技术。这是因为只有在低的生长温度下才能引入超出固溶度(1018~1019cm-3)的高浓度的磁离子,且低温生长时的热能不足以在外延层形成第二相。 低温下MBE的二维平面生长是保证磁半导体材料质量的关键。Shen等人利用反射高能电子衍射仪(RHEED)在位观测了不同Ⅴ/Ⅲ束流比(As4)和150~750℃温度下生长初期的衍射振荡峰情况(振荡峰周期对应于单层沉积的时间,它的出现被认为是二维层状生长的有利证据),从而得到了保证MBE低温二维生长的一个重要的条件即一定的高的Ⅴ/Ⅲ束流比。其原因可归之为过量的As起到了表面活化剂的作用,增强了吸附的Ga原子的迁移能力。 2.3 ga,mn 目前利用外延的方法能制备出两种复合结构的Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料即稀磁半导体和铁磁/半导体异质结材料。Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体包括(In,Mn)As、(Ga,Mn)As、GaFeSb、GaMnSb和GaMnN等相关的异质结;Ⅲ-Ⅴ族铁磁/半导体异质结材料包括MnAs/Ga