电路运行条件对电力电子器件性能的影响.pptVIP

电路运行条件对电力电子器件性能的影响;1.1　概述;1.1.1　决定电力电子器件实际效能的主要因素; 半控型器件（如SCR） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（如GTR、GTO、IGBT、Power MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。; 电流驱动型（如GTR、SCR、GTO） ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 电压驱动型（如IGBT、 Power MOSFET ） ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。; 单极型器件（如Power MOSFET） ——由一种载流子参与导电的器件。 双极型器件（如GTO、GTR、SCR、SBD) ——由电子和空穴两种载流子参与导电的器件。 复合型器件(如IGBT) ——由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。; ; ;常用晶闸管的结构; ;电力晶体管（ GTR — Giant Transistor）; ;图1-6　功率MOSFET单胞结构示意图a)N沟道VDMOS　b)N沟道VVMOS　c)N沟道型器件符号　d)P沟道型器件符号1—源极　2—栅极　3—SiO2　4—源区　5—沟道体区6—漂移区(外延层)　7—衬底　8—沟道;1.4　绝缘栅晶体管(IGBT);三端器件：栅极G、集电极C和发射极E;1.4.1　IGBT的结构和工作原理;1.4.1　IGBT的结构和工作原理;a;IGBT的特性和参数特点可以总结如下：;电流擎住现象;1.4.5　驱动电路——EXB840系列集成式驱动芯片;GMXD1B电路运行条件对电力电子器件性能的影响;1.1　概述;1.1.1　决定电力电子器件实际效能的主要因素; 半控型器件（如SCR） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（如GTR、GTO、IGBT、Power MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。; 电流驱动型（如GTR、SCR、GTO） ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 电压驱动型（如IGBT、 Power MOSFET ） ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。; 单极型器件（如Power MOSFET） ——由一种载流子参与导电的器件。 双极型器件（如GTO、GTR、SCR、SBD) ——由电子和空穴两种载流子参与导电的器件。 复合型器件(如IGBT) ——由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。; ; ;常用晶闸管的结构; ;电力晶体管（ GTR — Giant Transistor）; ;图1-6　功率MOSFET单胞结构示意图a)N沟道VDMOS　b)N沟道VVMOS　c)N沟道型器件符号　d)P沟道型器件符号1—源极　2—栅极　3—SiO2　4—源区　5—沟道体区6—漂移区(外延层)　7—衬底　8—沟道;1.4　绝缘栅晶体管(IGBT);三端器件：栅极G、集电极C和发射极E;1.4.1　IGBT的结构和工作原理;1.4.1　IGBT的结构和工作原理;a;IGBT的特性和参数特点可以总结如下：;电流擎住现象;1.4.5　驱动电路——EXB840系列集成式驱动芯片;GMXD1B