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失效分析技术与设备 形貌观察技术 目检 光学显微镜（立体显微镜、金相显微镜） SEM—扫描电子显微镜 TEM—投射电子显微镜 AFM—原子力显微镜 X-RAY透视 SAM—扫描声学显微镜 当前第29页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 结构 主架 载物台 照明系统 目镜系统 物镜系统 拍照系统 光学显微镜 当前第30页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 SEM-EDS 当前第31页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 Topography of Carbon Particle Sample (BFI) TEM 当前第32页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 AFM 当前第33页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 结构 X射线源 屏蔽箱 样品台 X射线接收成像系统 X-Ray透视系统 当前第34页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 结构 换能器及支架 脉冲收发器 示波器 样品台（水槽） 计算机控制系统 显示器 SAM 当前第35页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 成分分析技术 EDS—X射线能量色散谱 AES—俄歇电子能谱 SIMS—二次离子质谱 XPS—X光电子能谱 FTIR—红外光谱 GCMS—气质联用 IC—离子色谱 内腔体气氛检测分析 当前第36页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析技术与设备 AES 当前第37页\共有52页\编于星期六\8点 电子产品失效分析技术演示文稿 当前第1页\共有52页\编于星期六\8点 优选电子产品失效分析技术 当前第2页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析概论 当前第3页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析概论 1. 基本概念 失效——产品丧失功能或降低到不能满足规定的要求。 失效模式——电子产品失效现象的表现形式。如开路、短路、参数漂移、不稳定等。 失效机理——导致失效的物理化学变化过程，和对这一过程的解释。 应力——驱动产品完成功能所需的动力和产品经历的环境条件，是产品退化的诱因。 当前第4页\共有52页\编于星期六\8点 失效分析概论 2. 失效分析的定义和作用 失效分析是对已失效器件进行的一种事后检查。使用电测试以及先进的物理、金相和化学的分析技术，验证所报告的失效，确定试销模式，找出失效机理。 根据失效分析得出的相关结论，确定失效的原因或相关关系，从而在产生工艺、器件设计、试验或应用方面采取纠正措施，以消除失效模式或机理产生的原因，或防止其再次出现。 当前第5页\共有52页\编于星期六\8点 主要失效模式及机理 当前第6页\共有52页\编于星期六\8点 失效模式 失效模式就是失效的外在表现形式。 按持续性分类：致命性失效，间歇失效，缓慢退化 按失效时间分：早期失效，随机失效，磨损失效 按电测结果分：开路，短路或漏电，参数漂移，功能失效 按失效原因分：电应力（EOS）和静电放电（ESD）导致的失效，制造工艺不良导致的失效 当前第7页\共有52页\编于星期六\8点 失效模式及分布 集成电路 分立元件 当前第8页\共有52页\编于星期六\8点 电阻器 电容器 失效模式及分布 当前第9页\共有52页\编于星期六\8点 继电器 按插元件 失效模式及分布 当前第10页\共有52页\编于星期六\8点 失效机理 过应力失效 电过应力——电源输出输入的电源、电压超过规定的最大额定值。 热过应力——环境温度、壳温、结温超过规定的最大额定值。 机械过应力——振动、冲击、离心力或其他力学量超过规定的最大额定值。 当前第11页\共有52页\编于星期六\8点 失效机理 CMOS电路闩锁失效 条件——在使用上（VI；VO）VDD或（VI；VO）VSS；或电源端到地发生二次击穿。 危害——一旦导通电源端产生很大电流，破坏性和非破坏性。 失效特点——点现象，内部失效判别。 。 当前第12页\共有52页\编于星期六\8点 ESD失效机理 静电放电给电子元器件带来损伤，引起的产品失效。 失效机理 过电压场致失效——放电回路阻抗较高，元器件因接受高电荷而产生高电压导致电场损伤，多发生于电容器件。 过电流热致失效——放电回路阻抗较低，元器件因放电期间产生强电流脉冲导致高温损伤，多发生于双极器件。 当前第13页\共有52页\编于星期六\8点 失效机理 金属腐蚀失效 当金属与周围介质接触时，由于发生化学反应或电化学作用而引起金属腐蚀。 电子元器件中，外引线及封装壳内的金属因腐蚀而引起电性能恶化直至失效。 腐蚀产物形貌观察和成分测定对失效分析很有帮助。 当前第14页\共有52页\编于星期六\8点 失效机理 银离子迁移 银离子迁移是一种电化学现象，在具备水份和电场的条件时发生。 当前第15页\共有52页