DB35T 1370-2013发光二极管芯片点测方法.docxVIP

ICS 31.260 L45 福 建 省 地 DB35 方 标 准 DB35/T 1370—2013 发光二极管芯片点测方法 Probe test method for light emitting diode chips 2013-12-04 发布 2014-03-01 实施 福建省质量技术监督局 发 布 I DB35/T 1370—2013 目 次 前言 III 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 芯片点测条件及步骤 2 4.1 点测条件 2 4.1.1 试验条件 2 4.1.2 点测仪器 3 4.1.3 点测芯片状态 3 4.1.4 点亮条件 3 4.1.5 驱动方式 5 4.2 点测步骤 5 5 电参数点测 5 5.1 正向电压 5 5.2 反向电压 5 5.3 反向电流 5 6 光参数点测 5 6.1 发光强度 5 6.2 辐射功率 5 6.3 峰值发射波长、光谱带宽、相对光谱功率分布和重心波长 6 6.4 主波长和刺激纯度 6 7 静电放电敏感性点测 6 7.1 人体模式的静电放电敏感性 6 7.2 机器模式的静电放电敏感性 6 参考文献 7 II DB35/T 1370—2013 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009 《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出 的规则起草。 本标准由福建省半导体发光器件(LED) 应用产品标准化技术委员会归口。 本标准起草单位： 厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协 会、国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心。 本标准主要起草人：蔡伟智、梁 奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、 兰国政。 1 DB35/T 1370—2013 发光二极管芯片点测方法 1 范围 本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件， 仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 5698-2001 颜色术语 GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分：光电子器件(IEC 60747-5:1992， IDT) SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法 SJ/T 11395-2009 半导体照明术语 SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法 3 术语和定义 GB/T 5698-2001、GB/T 15651-1995及SJ/T 11395-2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 点测 probe test 对芯片光电性能和参数自动检测的方法。采用自动程控测试仪器以探针接触形式， 对按一定规则排 列的芯片进行瞬态测试，并能按每一颗芯片的位置形成参数分布图。 3.2 参数分布图 mapping file mapping图 点测芯片后按芯片的位置形成用颜色表示光电参数测试值的彩色图。 3.3 瞬态测试 transient test 采用毫秒级脉冲通电驱动点亮芯片， 在短时间内， 通过程控测试仪器自动读取相关光电参数值的测 试结果，并可同时完成多个光电参数的检测。 3.4 收光器 photoreceiver 点测中用来采集被测芯片发光强度或辐射功率的仪器部件。 3.5 2 DB35/T 1370—2013 载片卡盘 chuck 点测中用来承载芯片，并可提供芯片背面电极电性接触的底盘。 3.6 点墨针 ink pin 对不符合参数要求的芯片点涂墨汁的装置。 3.7 蓝膜 blue tape 呈蓝色带有粘性可用来承载或保存芯片的薄膜。 3.8 水平结构芯片 lateral LED chip P、 N 电极都在出光面的芯片，也称同侧电极结构芯片。 3.9 垂直结构芯片 vertical LED chip P、N 电极分别在正背(上下)两面的芯片，也称非同侧电极结构芯片。 3.10 标准样品 reference material 用来校对芯片光电参数值的样品。 4 芯片点