第十章 导体和电介质.pptVIP

§10-3 静电场中的电介质 第三十页，共五十一页，2022年，8月28日 1、电介质对电场的影响： 空气平行板电容器的电容为C0，极板充电至Q，极板间电势差为U0 。 C0 +Q ?Q d U0 C U d +Q ?Q 插入介质板（充满）后，保持极板上电量不变，极板间电势差为U 。 则： εr ：相对介电常数（相对电容率），为无量纲纯数。 第三十一页，共五十一页，2022年，8月28日 C0 +Q ?Q d U0 C U d +Q ?Q 可见：当空气（真空）电容器极板间充满电介质后，极板间电场强度减小、电势差下降、电容增大。 第三十二页，共五十一页，2022年，8月28日 2、电介质的极化： (1) 无极分子的位移极化： 无极分子：无外电场时，分子正、负电荷中心重合。 在外电场作用下，分子正、负电荷中心产生位移，形成取向外电场方向的分子电矩，使介质表面出现极化电荷（束缚电荷）。极化电荷产生的附加场方向与外电场方向相反。 E0=0 E0 E0 第三十三页，共五十一页，2022年，8月28日 (2) 有极分子的取向极化： 有极分子：无外电场时，分子正、负电荷中心不重合。 在外电场作用下，分子电矩受外电场力矩作用而取向外电场方向，使介质表面出现极化电荷（束缚电荷）。附加电场方向仍与外电场方向相反。 E0 E0 第三十四页，共五十一页，2022年，8月28日 ? 取向极化只发生在有极分子电介质中，而位移极化则发生在任何电介质中。通常，取向极化效应 位移极化效应，在有极分子电介质中，可不计位移极化。但在高频电场作用下，位移极化效应可大于取向极化效应。 ? 两种极化产生的宏观效果完全相同，在实际问题中，常不加以区别。 第三十五页，共五十一页，2022年，8月28日 电介质的极化 第三十六页，共五十一页，2022年，8月28日 第一页，共五十一页，2022年，8月28日 主要内容： (1) 导体的静电平衡条件； (2) 电介质的极化、有电介质时的高斯定理； (3) 电容和电容器； (4) 电场的能量。 返回 第二页，共五十一页，2022年，8月28日 §10-1 静电场中的导体 第三页，共五十一页，2022年，8月28日 1、导体的静电平衡条件： 导体不带电或不受外电场作用时，因电子的无规则热运动，导体内任一体积内无净电荷—电中性。 (a) 在外电场E0作用下，电子逆电场方向运动； (b) 导体表面出现感应电荷，导体内产生附加电场E ； (c) 外电场与附加场等值而反向时，电荷运动停止，导体处于静电平衡状态。 导体内： E = E0 ? E = 0 第四页，共五十一页，2022年，8月28日 导体的静电平衡 第五页，共五十一页，2022年，8月28日 导体的静电平衡条件： (a) 导体内电场强度处处为零； (c) 导体表面场强处处与导体表面正交。 (b) 导体是个等势体，导体表面为等势面； 第六页，共五十一页，2022年，8月28日 Q Q S 2、导体上电荷的分布： (1) 实心导体： 导体内任取高斯面。 (2) 空腔导体（腔内无电荷）： ? 导体内任取高斯面，则： 内表面上也不可能有等量异号电荷，否则： 与导体是等势体的结论不符。 S 第七页，共五十一页，2022年，8月28日 Q S (3) 空腔导体（腔内有电荷）： 导体内、外表面间任取高斯面。 +q +q 空腔内表面感应出电量 -q，而外表面电量为Q+q。 结论：导体静电平衡时，电荷只分布在表面上。 导体表面电荷面密度与表面曲率半径的关系： （近似） 第八页，共五十一页，2022年，8月28日 3、导体表面外附近的场强： 在导体表面取柱状高斯面，则其侧面和导体内底面的电通量为零。 即： 所以：导体表面曲率半径小的地方， 电场强度大。 第九页，共五十一页，2022年，8月28日 尖端放电： 针尖状导体处电场很强，可使周围的空气电离，同时产生“电风”—尖端放电。 第十页，共五十一页，2022年，8月28日 4、静电屏蔽： 利用空腔导体可消除腔内、腔外电场的相互影响。 (1) 对腔外电场的屏蔽： 由静电平衡条件，导体内和导体内表面均无电荷。 但外电场变化时，将使腔内电场发生变化，可通过“接地”解决。 第十一页，共五十一页，2022年，8月28日 (2) 对腔内电场的屏蔽： ? 腔内电荷q在腔内表面感应出电荷?q ，同时外表面感应出电荷q 。若将导体空腔接地，则腔外空间的电场、电势不受腔内电场的影响。 第十二页，共五十一页，2022年，8月28日 静 电 屏 蔽 第十三页，共五十一页，2022年，8月28日 例10-1 例10-1：半径R1，带电Q1的金属球A，外面有一内、外半径分别为R2 、 R3 ，带电Q的同心球壳B 。求：(1)电场和电