模拟电路与数字电路.pptVIP

模拟电路与数字电路 第一页，共三十七页，2022年，8月28日 内容提要 半导体基础知识 晶体二极管 特殊二极管 晶体三极管 场效应管 第二页，共三十七页，2022年，8月28日 2.1 半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子的运动方式及形成的电流 第三页，共三十七页，2022年，8月28日 半导体及其材料 ·导体 : 电阻率ρ小于10-3Ω·cm ·绝缘体: ρ大于108Ω·cm ·半导体: ρ介于导体和绝缘体之间。 常用半导体材料有: 硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓(GaAs)等 2.1.1 半导体 电阻率：数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的电阻。 第四页，共三十七页，2022年，8月28日 本征半导体 半导体的原子结构: 本征半导体——化学成分纯净的半导体。在物理结构上呈单晶体形态。 硅(Si) 锗(Ge) 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 第五页，共三十七页，2022年，8月28日 掺杂性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，其电阻 率大大下降而导电能力显著增强。据此可 制作各种半导体器件，如二极管和三极管 等。 半导体特性 本征半导体 第六页，共三十七页，2022年，8月28日 光敏性：当受到光照时，半导体的电阻率随着光照增强而下降，其导电能力增强。据此可制作各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等。 半导体的特性 热敏性：半导体的电阻率随着温度的上升而明显下降，其导电能力增强。据此可制作温度敏感元件，如热敏电阻。 本征半导体 第七页，共三十七页，2022年，8月28日 半导体的共价键结构 共价键 共价键中的两个价电子 原子核 本征半导体概念 第八页，共三十七页，2022年，8月28日 本征激发（热激发） 本征半导体的导电机理 本征激发产生的空穴 价 电 子 价电子受热或受光照（即获得一定能量）后，可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个带正电的空穴。 该现象称为本征激发(热激发) 本征激发产生的自由电子 第九页，共三十七页，2022年，8月28日 本征激发（热激发） 本征半导体的导电机理 空穴 价 电 子 自由电子 在热激发下，本征半导体中存在两种能参与导电的载运电荷的粒子(载流子)： 成对的电子和空穴 复 合——自由电子回到共价键结构中的现象。此时电子空穴成对消失。 第十页，共三十七页，2022年，8月28日 本征半导体的导电机理 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差。 (2) 温度越高， 载流子的数目越多,半导体的导电性能也就越好。可见，温度对半导体器件性能影响很大。 T＝300K时电子浓度 硅： 锗： 铜： 第十一页，共三十七页，2022年，8月28日 杂质半导体 杂质半导体—在本征半导体中掺入微量其它元素而得到的半导体。 杂质半导体可分为： N型(电子)半导体和P型(空穴)半导体两类。 第十二页，共三十七页，2022年，8月28日 1.N型半导体 在本征半导体中掺入微量五价元素物质（磷、砷等）而得到的杂质半导体。 结构图 第十三页，共三十七页，2022年，8月28日 掺杂后，某些位置上的 硅原子被5价杂质原子（如磷 原子）取代。磷原子的5个价 电子中，4个价电子与邻近硅 原子的价电子形成共价键，剩 余价电子只要获取较小能量即 可成为自由电子。同时，提供电子的磷原子因带正电荷而成为正离子。电子和正离子成对产生。上述过程称为施主杂质电离。5价杂质原子又称施主杂质。 1. N 型半导体 常温下杂质原子电离，产生电子—正离子 第十四页，共三十七页，2022年，8月28日 这种电子为多数载流子的杂质半导体称为N型半导体。 可见：在N型半导体中自由电子是多数载流子（简称多子）；空穴是少数载流子（简称少子）。 N型半导体中还存在来自于热激发的电子-空穴对。 1.N 型半导体 N型半导体是否带电？ 正负电荷数相等，N型半导体呈电中性 N型半导体中电子-空穴数是否相同？ 第十五页，共三十七页，2022年，8月28日 在本征半导体中掺入微量三价元素物质（硼、铝等）而得到的杂质半导体。 结构图 2.P型半导体 幻灯片放映 ??????????????????????????????????????????????????? ?