aln陶瓷的导热机理及热导率提高措施.docxVIP

aln陶瓷的导热机理及热导率提高措施 0 氮化铝陶瓷的制备 氮铝具有良好的电绝缘性、低介电常数、无色等性能。广泛应用于电子层材料和电子封闭剂。高热导率是氮化铝最突出的性能,为了制备高热导率的氮化铝陶瓷,国内外研究者做了大量工作,也取得了很多成果。 本文对AlN陶瓷的导热机理和影响因素及高热导率氮化铝陶瓷制备过程中添加剂选择、烧结方法、热处理等提高热导率的措施进行了简要介绍。 1 显微结构对aln热导率的影响 氮化铝陶瓷通过晶格振动进行热的传导,量子力学中声子作为晶格振动的能量量子传导热量,这是AlN陶瓷的导热机理。热导率是AlN陶瓷最重要的性能指标,其理论热导率可达320 W/(m·K),但由于AlN中存在杂质和缺陷,造成实际产品的热导率远达不到理论值。声子的散射是影响AlN陶瓷热导率的重要因素,声子散射对热导率k的影响关系式为: 式中:c为单位体积热容,v为声子运动速度,λ为声子的平均自由程。 AlN粉末中的杂质会在AlN晶格产生各种缺陷,这些缺陷对声子的散射会减小声子平均自由程,降低热导率。AlN对氧有强烈的亲和作用,致使氧元素成为AlN陶瓷中的主要杂质元素。研究表明,氧元素对AlN陶瓷热导率的影响极大,氧元素固溶进AlN晶格产生氧缺陷,增强了声子散射。氧杂质在AlN中的固溶是形成缺陷的主要原因,其缺陷反应方程式为: 除了AlN晶格缺陷的影响外,显微结构对AlN陶瓷热导率也有影响。显微结构包括晶粒尺寸、形貌和晶界第二相的含量及分布等。Hiromi Nakano等研究发现,晶界第二相越少,热导率越高。这是因为:一方面,第二相的热导率远低于AlN晶粒的热导率;另一方面,第二相含量越高,AlN晶粒间的直接接触越少,热导率越低。Yingda Yu等发现晶界第二相不管是沿晶粒分布还是在三角晶界处,都对热导率有很重要的影响。F. Boey等通过建立模型研究发现,随着晶界第二相含量增加,第二相分布在三角晶界处时热导率比沿晶界分布高。 Koji Watari等研究了晶粒尺寸与热导率的关系,如果声子在晶界处散射,那么声子平均自由程必定跟晶粒尺寸一个级别,但是如表1所示,声子平均自由程远小于晶粒尺寸,所以晶粒尺寸与热导率没有直接关系。 2 提高aln陶瓷的加热能力 2.1 aln陶瓷及热压烧结 引入添加剂主要有两方面作用:(1) 促进AlN陶瓷致密化。氮化铝是共价化合物,具有熔点高、自扩散系数小的特点,一般难以烧结致密,使用添加剂可以在较低温度产生液相,润湿晶粒,从而达到致密化。(2) 净化晶格。氮化铝对氧有很强的亲和力,晶格中经常固溶了氧,产生铝空位,降低了声子的平均自由程,热导率也因此降低。合适的添加剂可以有效与晶格中氧反应生成第二相,净化晶格,提高热导率。 Hiromi Nakano等以Y2O3为烧结助剂,在N2气氛下烧结20 h,得到热导率为220 W/(m·K)的AlN陶瓷,Y2O3和AlN固溶体从液相结晶,在晶粒边缘形成晶间层。Xinrui Xu等以Sm2O3为添加剂,研究发现,第二相只有Sm4Al2O9,AlN的热导率随着保温时间延长而增加,不埋粉烧结的AlN陶瓷热导率为166 W/(m·K)。A.L. Molisani等研究了CaCO3对AlN陶瓷致密化的影响,发现添加少量CaCO3会形成较高熔点的钙铝酸盐(主要是CaO·Al2O3),这使液相烧结的起始温度升高,但是致密化速度很快;添加较大量CaCO3时,液相在较低温度下形成,但最初致密化缓慢。乔梁等以CaF2和YF3作为添加剂在1750 ℃制备了热导率高于170 W/(m·K)的AlN陶瓷,并指出当使用CaF2和YF3作为添加剂时,微结构对热导率的影响很小,AlN的热导率主要由晶格氧缺陷浓度决定。黄小丽等研究了掺杂CaO、Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的性能和显微结构。结果表明:热压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3A15O12,常压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3A15O12和Ca3Y2O6,热导率为170 W/(m·K);热压烧结AlN的第二相体积分数和晶格氧含量均低于常压烧结;热压烧结AlN陶瓷的微观结构良好,其热导率达到200 W/(m·K)。Koji Watari等以Y2O3、CaO和Li2O为烧结助剂,发现烧结温度可以降低到1600 ℃以下,在1600 ℃保温6 h得到了热导率为135 W/(m·K)的AlN陶瓷,Li2O降低了烧结过程中液相温度,并在1300～1600 ℃挥发。 到目前为止,AlN陶瓷的烧结助剂依然以稀土元素和碱金属元素为主,但是衍生物种类较多,如异丙醇钇、Ca3Al2O6、CaC2和CaN2等。硼和碳也可以作为添加剂来提高致密度。此外,添加纳米颗粒提高AlN陶瓷热导率的研究也越来越多。Jinyu Qiu等在平均粒径为0.9 μm的AlN粉料中添