石墨烯低温输运研究及石墨烯层数与边界调控的中期报告.docxVIP

石墨烯低温输运研究及石墨烯层数与边界调控的中期报告 本研究旨在探究石墨烯的低温输运性质并尝试通过层数与边界调控来优化石墨烯的电学性能。 首先，我们进行了石墨烯的制备和表征工作，利用化学气相沉积法在铜片上生长了大面积单层石墨烯，通过光学显微镜、扫描电子显微镜和拉曼光谱等手段对其形貌和结构进行了表征。 接着，我们对石墨烯的低温电学性质进行了研究，通过四探针测量法测得了单层石墨烯的低温电阻率，并研究了其在不同温度下的输运特性。实验结果表明，单层石墨烯表现出典型的2D电子气特性，具有极高的电导率和低的电阻率。 最后，我们尝试通过石墨烯的层数和边界调控来优化其电学性能。在实验中，我们采用化学剥离法制备了不同层数的石墨烯，同时通过微纳加工技术制备了不同形状的石墨烯微纳器件，并对其电学性能进行了研究。结果表明，相比于单层石墨烯，多层石墨烯表现出更高的电阻率和更差的输运性质；而通过边界调控，我们成功制备了具有优异电学性能的石墨烯微米线和石墨烯纳米窗等微纳器件。 综上所述，本研究对石墨烯的低温输运特性进行了深入研究，并尝试通过层数与边界调控来优化其电学性能，为石墨烯在电子器件等方面的应用提供了重要的实验基础。