低漏电压下环栅肖特基势垒nmosfe阈值值电压模型.docxVIP

低漏电压下环栅肖特基势垒nmosfe阈值值电压模型 1 与环栅结构相关的物质 随着金属氧化半体制（mosfi）特征尺寸的不断减小，不可避免地会出现短沟和技术的困难。使用双栅、护堤和环帽等多栅能够有效地抑制短沟的效果，环栅mos帽的网格控制能力最强，抑制短沟的效果最好。此外，使用相对于一侧的阈值来实现小mos阈值的一种有效方法，并且相对于原始簇的突然变化来抑制短沟的效率，低串联和接触电阻器的低密度和闭合效果可以完全消除。集成了高k矩阵介质、金属栅和变形硅沟等重要新材料。上述两种结构结合的环形肖特基年产量的moslet被认为是最具前景的纳米设备之一。 漏致势垒降低 (drain-induced barrier-lowering DIBL) 是MOSFET短沟道效应中不可忽视的重要物理效应, 表现在漏电压引起的阈值电压降低, 很大程度上影响到器件的电流电压特性, 成为电路设计中MOSFET应用的一个重要物理限制.研究DIBL效应必须先得到阈值电压模型.关于掺杂源漏MOSFET阈值电压的研究较多, 但对肖特基势垒MOSFET的研究却甚少.Knoch等应用固定电流法推导出了绝缘衬底上的硅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型, 但需要先完整地建立电流模型, 过程相对复杂;Xu等和Li等分别认为沟道最小表面势等于一倍和两倍肖特基势垒高度时的栅电压为阈值电压, 物理意义不明确;Tang等给出了肖特基势垒MOSFET阈值电压的明确物理意义, 但并没有给出具体的解析模型. 目前对环栅肖特基势垒MOSFET的研究主要集中在电流电压特性和亚阈值斜率方面, 对DIBL的研究基本处于空白阶段.为此, 本文通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程, 获得了环栅肖特基势垒NMOSFET的表面势分布, 并在文献的工作基础上导出了二维阈值电压模型, 进一步分析了影响阈值电压和DIBL变化的因素. 2 ersi1.7质量分析 图1表示一个采用Er Si1.7做源漏的N型环栅肖特基势垒MOSFET结构.R是硅柱半径, L是硅柱沟道的长度, tox是栅氧层厚度, 采用二氧化硅NA是硅柱掺杂浓度.? (r, z) , ?c(z) 和?s(z) 分别表示硅柱的二维电势、中心电势和表面电势分布, Vg, Vd和Vs分别表示作用在栅极、漏极和源级的电压. R较小时硅柱全耗尽, 在圆柱坐标系下关于电势的二维泊松方程可表示为 这里q是电子电量, εSi是硅的介电常数.对? (r, z) 在沟道内沿着半径方向做抛物线函数近似, 可假设 这里相关系数a0(z) , a1(z) , a2(z) 是关于z的函数, 方程 (1) 必须满足下列边界条件: 这里Cox=εox/ (RIn (1+tox/R) ) 是栅氧层单位面积电容, εox是栅氧层介电常数, Vgs是栅源电压, VFB是平带电压. 从 (1) — (3) 式得到 其中 (4) 式的通解为 其中 源漏极的边界条件为 其中 这里?Bseff是源极的有效肖特基势垒高度, Vds是漏电压, ?i Bn是本征肖特基势垒高度, 对Er Si1.7来说?i Bn=0.32 V.因环栅MOSFET沟道厚度达到纳米级别, 需要考虑量子化效应引起的肖特基势垒高度增加, 即??1, ˉh是约化普朗克常量, m*是电子在Er Si中的有效质量;器件正常工作时源极反偏, 漏极正偏, 故对源极需要考虑镜像力势垒降低效应, 即-??2.Em是源极与沟道界面处的最大电场强度, N是沟道反型层表面电子浓度, ξ是反型层表面电子准费米能级与导带的能量差, Vr是加在源极肖特基势垒的反偏电压, k是玻尔兹曼常数, T是绝对温度, Eg是硅的禁带宽度, ni是硅的本征载流子浓度, ?min是沟道最小表面电势. 对 (7) 式微分并令微分为零, 可得到最小电势点 将 (17) 式代入 (7) 式, 得到最小表面电势 与传统MOSFET相比, 源漏结构的差异改变了肖特基势垒MOSFET的电流传输机理.Vgs通过调节肖特基势垒高度和厚度, 控制着沟道中的载流子输运机理.通过源极注入沟道的载流子由两种组分构成, 一种是载流子能量高于肖特基势垒的热电子发射部分, 另一种是能量低于肖特基势垒的量子力学隧穿部分.随着栅压的提高, 肖特基势垒厚度越来越薄, 直到相应的隧穿电流开始占据主导地位.根据掺杂浓度和温度的高低, 隧穿电流又可分为场发射和热场发射两部分.处于半导体费米能级附近的电子隧穿通过势垒称为场发射;当电子被激发到较高能量时所穿过的是一个比较薄而且低的势垒, 称为热场发射. 当源极反向偏置较小时, 沟道进入强反型并且源极电子主要以场发射方式进入沟道时的Vgs即为阈值电压, 过渡到场发射的条件是 这里ξm为热场发射电子能量分布最大值,是隧穿作用中起重要作用的参数, 它的量纲为