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光伏组件的 PID 效应和封装材料的关系 一、前言 随着光伏组件大规模使用一段时间后，特别是越来越多的投入运营的大型光伏电厂运 营三四年后，业界对光伏组件的电位诱发衰减效应（PID，PotentialInducedDegradation） 的关注越来越多。尽管尚无明确的由 PID 原因引发光伏电站在工作三、四年后发生大幅衰减的报道，但对一些电站工作几年后就发生明显衰减现象的原因的种种猜测使光伏行业对PID 的原因和预防方法的讨论越来越多。一些国家和地区已逐步开始把抗PID 作为组件的关键要求之一。很多日本用户明确要求把抗 PID 写入合同，并随机抽检。欧洲的买家也跃跃欲试提出同样的要求。此趋势也使得国内越来越多的光伏电站业主单位、光伏电池和组件厂、测试 单位和材料供应商对PID 的研究越来越深入。 其实早在 2005 年，Sunpower 就发现晶硅型的背接触n 型电池在组件中施加正高压后存在 PID 现象。2008 年，Evergreen 报道了PID 出现在高负偏压下的正面连接p 型电池组件中。在 2010 年，SolonSE 报道在标准的单晶和多晶电池中都发现了极化效应。很快SolonSE 和NREL 就提出在负高偏压下使用任何工艺生产的P 型电池标准组件都存在发生PID 现象的极大风险。而CIGS 组件的PID 效应也有被报道。 二、PID 的检测方式 PID 测试有两种加速老化的方式： 在特定的温度、湿度下，在组件玻璃表面覆盖铝箔、铜箔或者湿布，在组件的输出端和表面覆盖物之间施加电压一定的时间。 在 85%湿度 85℃或者是 60℃或 85℃的环境下将-1000V 直流电施加在组件输出端和铝框上 96 小时。 在两种方式测试前，都对组件进行功率、湿漏电测试并EL 成像。老化结束后，再次进行功率、湿漏电测试并EL 成像。将测试前后的结果进行比较，从而得出PID 在设定条件下的发生情况。第一种方式比较多的用于实验机构，而后一种方式比较多的被光伏组件厂采用。当 PID 现象发生时，从EL 成像可以看到部分电池片发黑。光伏组件在上述两种测试方式下表现出的的EL 成像图是不同的。第一种方式条件下，发黑的电池片随机的分布在组件内， 而在第二种方式中，电池片发黑的现象首先在靠近铝框处发生。 目前 IEC 尚没有出台有关实验室进行PID 测试和评估的正式标准，但有一个工作文件， 大致测试方式如下： 取样：按IEC60410 要求，从相同批次中抽取，2 个组件。 消除组件早期衰减效应，组件开路进行5-5.5Kwh/m2 辐照。 （3）目测，按IEC61215 章节 7，IEC61730-2 章节 10.1.3。 组件EL 成像和最大功率测定。 湿漏电流测试和接地连续性测试。 （6）60+/-2℃、85+/-5%，系统电压施加在组件输出端和铝框之间96 小时。 组件EL 成像和最大功率测定、湿热电流测定。 合格判定。合格判定依据于： 最大功率与初始值比，衰减不超过5%。 没有目测不合格现象，按IEC61215 章 /节 7， IEC61730-2 章节 10.1.3。 湿漏电流测试，符合IEC61215 章节 10.15。 试验结束后组件功能完整。 要说明的是，越来越多的组件用户要求组件能通过85+/-2℃、湿度 85+/-5%的测试。这个要求对组件厂而言是非常有挑战的，关键在于真正的量产，而不是做一两块可以通过双85 测试的组件。 三、PID 现象的原因 PID 的真正原因到目前为止没有明确的定论，但各个光伏电池组件厂和研究机构的数据表明，PID 与电池、玻璃、胶膜、温度、湿度和电压有关。 目前可以明确的是PID 现象和电池片表面的反射层有关，提高反射层的折射率可以有效地降低PID 现象的发生。含Si 多的减反层比含N 多的减反层更可以抵抗PID 现象。当减反层的折射率大于 2.2 后，PID 现象不再被观察到。而当折射率小于2.08 后，组件很难通过 PID 测试。目前有不少的光伏电池厂在做针对电池和PID 的关系的测试中也发现了类似的现象，所以改变折射率成为抗 PID 的手段之一。但改变电池减反层的折射率会改变电池生产成本和电池的发电效率，在不提高成本并且基本不改变效率的情况下做到抗PID 对电池厂是一个非常大的难度。 使用于光伏组件的玻璃是含钠离子的玻璃。有文献报道，在高温高湿情况下硅酸盐玻 璃表面会有碱析出，主要成分是Na2O、MgO。而当把玻璃更换成石英玻璃后，在同样的测试条件下，没有PID 现象被发现。在有Q-Cell 参与的PID 研究中，非常明确的发现玻璃和胶膜对 PID 现象的发生有明确的关系。该实验特殊设计了六种非常规的组件，其中五种分别是将玻璃替换成石英玻璃或PVF 薄膜、将EVA 替换成其它封装材料、将玻璃