大学物理实验报告_7.doc

PAGE 1 实 验 报 告 姓 名：汤博 班 级：F0703028 学 号：5070309028 实验成绩： 同组姓名： 无 实验日期：2008-10-12 指导老师：助教29 批阅日期： 硅光电池特性的研究 【实验目的】 了解硅光电池的工作原理及其应用。 研究硅光电池的主要参数和基本特性。 【实验原理】 硅光电池的照度特性 硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时，将产生一个由N区流向P区的光生电流Iph，同时由于PN结二极管的特性，存在正向二极管管电流ID。此电流方向从P区到N区，与光生电流相反，因此实际获得电流 I= 式中V为结电压，I0为二极管反向饱和电流，Iph是与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关。n为理想系数是表示PN结特性的参数，通常在1-2之间，q为电子电荷，kB为波尔茨曼常数，T为绝对温度。在一定照度下，光电池被短路（负载电阻为零）则V = 0 由（1 硅光电池短路电流与照度特性见图1。 硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时，I = 0， 由上两式可得开路电压 V 硅光电池开路电压与照度特性见图1。 硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载R时，硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的伏安特性见图2。由图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流Iph，在电压轴上的截距即为开路电压V 实验电路图 【实验数据记录、实验结果计算】 1、硅光电池的照度特性实验 (1) 开路电压与照度的关系 照度 1565 1284 860 713 587 452 382 301 241 U(v) 0.35 0.35 0.34 0.33 0.33 0.32 0.32 0.31 0.31 照度 201 181 165 128 99 72 56 39 26 U(v) 0.30 0.30 0.29 0.29 0.28 0.27 0.26 0.25 0.23 (2) 短路电流与照度的关系 照度 1086 625 311 189 137 78 45 I(μA) 49 23 11 7 5 3 1.7 Origin 作图如下： 从上图可以看出，随着照度的增加，硅光电池的开路电压逐渐上升并趋于平缓，而短路电流则是线性上升的，这与书中的理论图相差不多。  2、硅光电池的伏安特性实验 Alpha=0 U(mV) 365 363 361 358 354 346 335 328 304 284 271 I (μA) 0 3.6 5.3 7.2 9.4 14.1 20.8 24.6 36.6 44.5 49.0 U 251 232 220 205 174 152 92 61 19 0 -0.28 I 53.7 56.5 57.8 59.0 60.3 60.8 61.4 61.5 61.6 61.6 61.6 U -0.52 -0.93 -1.15 -1.37 -1.65 -2.06 -2.24 -2.48 -2.73 -3.02 I 61.6 61.7 61.7 61.8 61.8 61.9 61.9 61.9 61.9 61.9 Alpha=30 U 357 356 355 352 350 347 342 337 330 313 294 I 0 7.1 7.6 9.5 10.8 12.5 14.9 17.8 21.7 30.4 38.1 U 278 246 208 171 150 125 81 18 0 -0.38 -0.59 I 43.6 50.4 54.0 55.4 55.8 55.9 56.1 56.2 56.3 56.4 56.4 U -0.84 -1.16 -1.50 -1.75 -1.86 -2.02 -2.36 -2.59 -2.87 -3.01 I 56.5 56.5 56.5 56.5 56.5 56.6 56.6 56.6 56.6 56.7 Origin 作图如下： 从图中可以看出，硅光电池在反偏工作区内，电流几乎不随电压的改变而改变，而在无偏区工作时，只有当RL较小时，电流比较稳定，而当RL较大时，电流与电压呈非线性关系。  【对实验结果中的现象或问题进行分析、讨论】 1、照度特性研究实验中改变照度的方法有很多，比如可以通过改变光源到硅光电池的距离，但是注意这时必须要求光源必须是点光源，不能使平行光，否则不满足距离反比。 2、通过改变偏振片改变光照强度的方法，为了使照度尽量大，可以先通过透