6H-SiC(0001)外延石墨烯的生长机制及表面应力释放的STM研究的中期报告.docxVIP

6H-SiC(0001)外延石墨烯的生长机制及表面应力释放的STM研究的中期报告 这篇报告将介绍关于6H-SiC(0001)外延石墨烯生长机制和表面应力释放的STM研究的中期结果。 首先介绍生长机制方面的研究。通过STM观察，我们发现在6H-SiC(0001)表面，热解石墨烯前的表面形貌呈现出明显的三角形纹路。石墨烯的生长始于这些纹路的边缘，然后向内部扩展。我们还发现，在生长过程中，石墨烯的厚度随着时间的增加而增加，但其表面形貌保持不变，这表明石墨烯的生长是以二维模式进行的。我们认为这种生长模式是由6H-SiC表面附加的重构机制驱动的。在石墨烯生长过程中，石墨烯的形成可能会对SiC衬底表面的局部结构产生影响，进而导致衬底表面的形貌发生变化。我们正在继续研究这个问题。 接下来是关于表面应力释放的研究。我们发现，在6H-SiC(0001)上生长的石墨烯膜中会出现明显的缺陷，这是由表面应力引起的。通过STM观察，我们发现石墨烯膜上的颗粒和缺陷出现在厚度变化明显的区域，这表明表面应力是导致这些缺陷形成的主要原因。我们还观察到，石墨烯的缺陷会随着时间的推移而逐渐消失，这表明在石墨烯形成后，表面应力会逐渐释放。我们正在尝试通过调整生长条件来控制表面应力，以改善石墨烯的质量。 未来的研究方向将集中在进一步了解6H-SiC(0001)外延石墨烯生长机制和表面应力释放的机理，以及寻找改善石墨烯质量的