电子设计与单片机应用实训教程代码第十六章.docVIP

电子设计与单片机应用实训教程代码第十六章.doc

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1:温度传感器模块(单片机): #define uchar unsigned char sbit DQ=P3^6; //数据传输线接单片机的相应的引脚 unsigned char tempL=0; //设全局变量 unsigned char tempH=0; unsigned int sdata; //测量到的温度的整数部分 bit fg=1; //温度正负标志 void Init_DS18B20(void) { unsigned char x=0; DQ=1; //DQ先置高 delay(8); //稍延时 DQ=0; //发送复位脉冲 delay(80); //延时(480us) DQ=1; //拉高数据线 delay(5); //等待(15~60us) x=DQ; /*用X的值来判断初始化有没有成功, 18B20存在的话X=0,否则X=1*/ delay(20); } //读一个字节 ReadOneChar(void) /*主机数据线先从高拉至低电平1us以 上,再使数据线升为高电平,从而产生读信号*/ { unsigned char i=0; /*每个读周期最短的持续时间为60us,各个读周 期之间必须有1us以上的高电平恢复期*/ unsigned char dat=0; for (i=8;i0;i--) //一个字节有8位 { DQ=1; delay(1); DQ=0; dat=1; DQ=1; if(DQ) dat|=0x80; delay(4); } return(dat); } void WriteOneChar(unsigned char dat) //写一个字节 { unsigned char i=0; /*数据线从高电平拉至低电平,产生写起始信号。 15us之内将所需写的位送到数据线上*/ for(i=8;i0;i--) /*在15~60us之间对数据线进行采样,如果是高 电平就写1,低写0发生。*/ { DQ=0; /*在开始另一个写周期前必须有1us以上的高电 平恢复期。 */ DQ=dat0x01; delay(5); DQ=1; dat=1; } delay(4); } void ReadTemperature(void) //读温度值(低位放tempL;高位放tempH;) { Init_DS18B20(); //初始化 WriteOneChar(0xcc); //跳过读序列号的操作 WriteOneChar(0x44); //启动温度转换 delay(125); //转换需要一点时间,延时 Init_DS18B20(); //初始化 WriteOneChar(0xcc); //跳过读序列号的操作 WriteOneChar(0xbe); //读温度寄存器(两个值为温度低位和高位) tempL=ReadOneChar(); //读出温度的低位LSB tempH=ReadOneChar(); //读出温度的高位MSB if(tempH0x7f) //最高位为1时温度是负 { tempL=~tempL; //补码转换,取反加一 tempH=~tempH+1; fg=0; //读取温度为负时fg=0 } sdata = tempL/16+tempH*16; //整数部分 xiaoshu1 = (tempL0x0f)*10/16; //小数第一位 xiaoshu2 = (tempL0x0f)*100/16%10; //小数第二位 xiaoshu=xiaoshu1*10+xiaoshu2; //小数两位 } Void main() //显示函数 { while(1) { ReadTemperature(); Display(sdata); //显示温度 } } 2:温湿度传感器模块(单片机): #include reg51.h #include intrins.h ty

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