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第一章半导体二极管和三极管 堂 学 革 第一章半导体二极管和三极管 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 华成英hchya@tsinghua.edu.cn §1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 华成英hchya@tsinghua.edu.cn 一、本征半导体 1、 什么是半导体?什么是本征半导体? 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体——铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体——惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体一一硅 (Si)、 锗 (Ge), 均为四价元素， 它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 稳定的结构 华成英hchya@tsinghua.edu.cn 无杂质 一定温度下，产生的自由电子和空穴数目， 与复合掉的自由电子 与空穴对的数目是相等的，我们称达到了动态平衡。 一旦达到动态平衡，在本征半导体中，自由电子的浓度和空穴的 浓度就是一定的了； 在这样条件下，我们给晶体硅中加一个外电场，如图所示： 华成英hchya@tsinghua.edu.cn 在常温下，由于分子的热运动，具 有足够能量的价电子挣脱共价键的 束缚而成为自由电子(带负电)。 自由电子的产生使共价键中留有一 个空位置，称为空穴(带正电)。 2、 本征半导体的结构 共价键 +4 自由 电子 动态平衡 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴~ 两种载流子 为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体? 华成英hchya@tsinghua.edu.cn 运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时，带负电的自由电 子和带正电的空穴均参与导电， 且运动方向相反。由于载流子数 目很少，故导电性很差。 温度升高，热运动加剧，载 流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K 时不导电。 3、 本征半导体中的两种载流子 +4 空穴~ +4 +4 自由 电子 +4 +4 +4 +4 杂质半导体主要靠多数载流 子导电。掺入杂质越多，多子 浓度越高，导电性越强， 实现 导电性可控。 此时，自由电子与空穴的数目不 再相等了，自由电子浓度高于空穴浓 度，此时若加一个外电场，它的导电 主要靠自由电子导电。当掺入的P元 素越枭，形成的自由电子越多，导电 性能越好， 二、 杂质半导体 1. N 型半导体 华成英hchya@tsinghua.edu.cn P型半导体主要靠空穴导电， 掺入杂质越多，空穴浓度越高， 导电性越强， 在杂质半导体中，温度变化时， 载流子的数目变化吗?少子与多 子变化的数目相同吗?少子与多 子浓度的变化相同吗? 2.P 型半导体 华成英hchya@tsinghua.edu.cn 四、P N结的形成及其单向导电性 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。 扩散运动 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 O --( O O O- ⊙ G O O-= O= Q 。Q°O 。Ω P区 + + · 田 - O3 自由电子 + ++。 + + + + N区 N 区的自由电子浓度降低，产生内电场。 N 区自由电 子浓度远高 于P区。 9 华成英hchya@tsinghua.edu.cn P区空穴 浓度远高 于N区。 空穴负离子 正离子 O + ④ 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N 区的自由电子浓度降低，产生内电场。 华成英hchya@tsinghua.edu.cn PN 结的形成 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内 电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N 区向P 区、 自由电子从P 区向N 区运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同， 达到动态 平衡，就形成了PN结。 华成英hchya@tsinghua.edu.cn + + + + N区 因电场作用所产 生的运动称为漂移 O — P区 漂移运动 空间电荷区 ⊙ O ⊙ ①。 一 V ls R PN 结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动， 有利于漂移运动，形成漂移电 流。由于电流很小，故可近似 认为其截止。 PN 结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加 剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流， PN结处于导通 状态。 O +