毕业设计（论文）蓝宝石衬底上aln薄膜和gan ingan量子点的mocvd生长分析.pdfVIP

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在 文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和 子版，允许论文被查阅和借阅。 本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密口 ， 在_____ 年解密后适用本授权书。 本论文属于 不保密口。 （请在以上方框内打y”） 学位论文作者签名： 指导教师签名： 日期： 年 月日 日期： 年 月 日 华中科 技大学 博士学 位论文 摘要 紫外波段的AlGaN发光器件对于白光照明、空气和水的净化、消毒杀菌、高密 度存储等领域意义重大，因此对AlGaN发光器件的研究成为当下人们关注的焦点。 目前生长AlGaN材料普遍使用的衬底是蓝 宝石，材料中的穿透位错通常在 10Q10%m-2量级，这严重影响着AlGaN基发光器件的量子效率。经过多年的探索, 现在普遍认为的一个解决方案是在蓝 宝石衬底上制备高质量的A1N薄膜作为AlGaN 器件的模板，在此模板上可以获得高质量无裂纹的AlGaN材料。因此，如何在蓝 宝 石衬底上制备高质量的A1N模板已经成为AlGaN器件发展的关键一步。目前，由于 量子点的独特性能，研究者发现通过在有源区中引入量子点的途径也可以提高器件 的量子效率。量子点的尺寸接近于 子的波尔半径， 子的运动被限制在量子点内 部，因此载流子的复合概率变大。量子点所表现出的各种量子特性和光学非线性， 无论是在基本物理方面还是在器件应用方面（ 包括激光器、单光子光源和量子计算 等）都有巨大的研究价值。 本论文的第一部分工作详细介绍了金属有机物化学气相沉积（MOCVD ）生长 A1N模板的研究。首先采用低温成核层技术和脉冲原子层外延（PALE ）技术相结合 的方法生长A1N材料,讨论了影响A1N晶体质量和表面形貌的各种因素,研究了生 长条件对于生长模式影响的根本原因，从而解决A1N生长中所面临的难题。文中主 要研究了衬底表面处理工艺、低温成核层工艺（ 包括生长温度、厚度以及V/III ）和 PALE生长工艺（ 包括生长温度、V/III和生长速率）对于A1N材料的影响。我们发 现衬底在不同的处理工艺下，A1N和衬底之间的失配应力的释放机制有所不同。通 过氮化处理，可以有效提高晶体的取向性并获得A1极性的A1N材料。通过低温成核 层工艺的研究，我们获得了（ 002 ）面摇摆曲线半高宽（FWHM ）为63arcsec ,（ 102） 面半高宽为U06arcsec的样品，其表面完全愈合，没有发现坑（pits ）的存在。在成 核层的基础上通过PALE A1N层的生长研究， 我们获得了表面无裂纹厚度达636nm 的A1N外延层。 在本论文的第二部分工作，主要介绍了量子点生长的研究工作。首先，在A1N 模板上研究了 GaN量子点的生长工艺。试验中分别采用了 S-K （ Stranski-Krastanov ） 华中科 技大学 博士学 位论文 生长模式和Ga droplets epitaxy的方法制备GaN量子点。在S-K生长模式中， 研究了 生长时间、反应物流量、生长压强和生长温度对GaN量子点形貌的影响。虽然由于 生长速率太高无法获得