碳化硅衬底的缺陷修复方法.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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碳化硅衬底的缺陷修复方法.pdf

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本申请公开一种用于碳化硅衬底的缺陷修复方法。所述碳化硅衬底包括存在缺陷的待修复表面。所述方法包括：在一个或以上修复轮次中对所述待修复表面进行修复，以获取候选修复衬底，其中，一个修复轮次包括：利用修复装置在所述待修复表面之上形成修复层，并对所述修复层进行刻蚀以形成平整层；确定所述平整层是否满足缺陷检测条件；若是，终止所述一个或以上修复轮次；若否，执行下一个修复轮次；清洁所述候选修复衬底，并对清洁后的所述候选修复衬底进行外延生长以获取目标修复衬底。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038432 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311122820.3 (22)申请日 2023.09.01 (71)申请人希科半导体科技（苏州）有限公司