电子线路课件.pptxVIP

半导体器件 1.1 半导体与二极管 1.1.1 半导体半导体 —导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体 —纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子 —自由运动的带电粒子。半导体中的载流子包括电子和空穴 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。一、半导体 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体之所以得到广泛应用是因为其具有如下特性：（1）掺杂特性（2）热敏特性（3）光敏特性 二. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。1. N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。2. P型半导体 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 三. PN结及其单向导电性 1 . PN结的形成 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 2 . PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 PN结加正向电压时，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 1.1.2 二极管的结构和符号 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线NP结构符号阳极+阴极- 二极管按结构分三大类：(1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。 半导体二极管图片 1.1.3 二极管的伏安特性 硅：0.5 V 锗： 0.1 V(1) 正向特性导通压降反向饱和电流(2) 反向特性死区电压击穿电压UBR实验曲线uEiVmAuEiVuA锗 硅：0.7 V 锗：0.3V 二极管的近似分析计算IR10VE1kΩIR10VE1kΩ例：串联电压源模型测量值 9.32mA理想二极管模型RI10VE1kΩ0.7V 1.1.3 二极管的主要参数 (3) 反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。（2）最高反向工作电压URM———是指二极管在使用时所允许加的最大反向电压。为了确保二极管安全运动，通常取二极管反向击穿电压UBR的一半作为URM (1) 最大整流电流IF——是指二极管长期运动时允许通过的最大正向平均电流， 小 技 巧 二极管的简易测量 根据二极管的单向导电性可知，二极管正向电阻小，反向电阻大。利用这一特点，可以用万用表的电阻挡大致测量出二极管的好坏和正负极性 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数稳定电压1.2.1 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管正向同二极管反偏电压≥UZ 反向击穿＋UZ－1.2 特殊二极管 稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ ——(2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流IZmax—— 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。 1.2.2 变容二极管 PN结具有电容效应，二极管存在结电容。二极管结电容的大小除了与本身结构工艺有关，还与外加电压