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非晶硅TFT集成电路研究的中期报告 非晶硅薄膜晶体管（a-Si:H TFT）作为一种主要的平面显示器件，其可靠性和寿命受到广泛关注。本研究旨在探究a-Si:H TFT集成电路中的稳定性和性能提高。 本中期报告主要介绍了以下方面的研究进展： 1. a-Si:H TFT电学性能的改善：通过优化工艺参数、改变材料特性和控制基底表面状态等方法，将a-Si:H TFT的电感、偏置电流和迁移率等参数进行了改善。 2. 降低a-Si:H TFT在长时间使用中的漂移：利用氧化氮（NO）等气体预处理方法，可有效降低a-Si:H TFT在长时间使用过程中的漂移，提高其可靠性。 3. 通过多晶硅（Poly-Si）膜进行a-Si:H TFT集成电路的制备：通过使用多晶硅膜构成的源/漏极及栅极，可以有效地提高a-Si:H TFT集成电路的电学性能和可靠性。 4. 对a-Si:H TFT集成电路的稳定性进行了深入研究：通过长时间测试和热应力测试，研究了a-Si:H TFT集成电路在高温环境下的稳定性，并发现控制漂移和保持时间等因素，可以显著提高其稳定性。 综上所述，本研究在a-Si:H TFT集成电路的稳定性和性能提高方面取得了一定的进展，但仍需要进行更深入的研究和探索。