T_CASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法.docxVIP

ICS 31.080 CCS L 40/49 团 体 标 准 T/CASAS 030—2023 GaN 毫米波前端芯片测试方法 Measurement methods on GaN millimeter Wave front-end MMIC 版本：V01.00 2023-06-30 发布 2023-07-01 实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 目 次 前言 III 引言 IV 范围 1 规范性引用文件 1 术语和定义 1 符号 2 一般要求 2 通则 2 测试环境要求 3 测试工具/仪表要求 3 测试输入条件要求 3 测试方法 4 接收/发射小信号增益、输入输出端口电压驻波比、静态电流测试 4 目的 4 测试框图 4 测试程序 4 接收/发射通道 1dB 压缩点输出功率、发射通道动态电流测试 5 测试目的 5 测试框图 5 测试程序 5 接收噪声系数测试 5 测试目的 5 测试框图 5 测试程序 6 开关时间测试 6 测试目的 6 测试框图 6 测试程序 7 参考文献 8 前 言 本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第 1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归 CASAS 所有，未经 CASAS 许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASAS 允许；任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。 本文件起草单位：中国电子科技集团第五十五研究所、中兴通讯股份有限公司、北京大学、苏州能讯高能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团第十三研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 本文件主要起草人：周强、龚健伟、余旭明、刘建利、王茂俊、徐瑞鹏。 引 言 对移动通信 5G 技术发展的需要，作为 5G 基站内部重要模块的毫米波氮化镓前端芯片，在 5G 基的多个领域应用越来越广泛和受到重视。因此，为了进一步加快毫米波氮化镓前端芯片的产业化 规模化应用，迫切需要制定毫米波氮化镓前端芯片（的微相电关子测器试件方试法验和方规法范和，程以序便）更等加国有标效的和内专容业，并结合了近几年科 米波氮化镓前研端人芯员片在性毫能米不波断氮提化升镓的前真端实芯水片平领，域使的得研质发量、更测加试可评靠估，应以用及更应符用合方实面际的设经计验的总需结求，对。毫米波氮化镓前端5G 移动通信芯技片术性的能发指展标提的供测技试术方基法础进及行支了撑详。细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测文件借鉴了 试GJ工B 具54及8C仪－表20等21，但局限于当前科研人员对毫米波氮化镓前端芯片本身的认知，以及该产品生产与应用 所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。 GaN 毫米波前端芯片测试方法 范围 本文件描述了GaN 毫米波前端芯片（以下简称“GaN 前端芯片”）的测试条件、测试要求和测试方法。 本文件适用于 GaN 前端芯片的测试、质量评价。 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 饱和输出功率 saturation output power 饱和工作时输出信号的功率值。 噪声系数 noise coefficien 输入端信噪比与输出端信噪比的比值。 小信号增益 small signal gain 工作在线性工作区时输出信号与输入信号的功率比，通常以分贝为单位，线性工作区指输出功率变化的分贝数与输入功率变化的分贝数相同的区域。 电压驻波比 voltage standing wave ratio 电压振幅最大值与电压振幅最小值之比。输入端的电压驻波比即为输入电压驻波比，输出端的电压驻波比即为输出电压驻波比。 动态电流 dynamic current 有输入功率条件下的工作电流。 静态电流 static current 无输入功率条件下的工作电流 开关时间 switching time 1dB 压缩点输出功率 output power for 1dB compression 开关时间是指开关从“导通”状态转变为“截止”状态以及从“截止”状态转变为“导通”状态所 的时间。 在功率增益下降到比小信号增益低1dB时的输出功率。 符号和缩略语 下列符号和缩略语适用于本文件。 G-T：发射通道小信号增益。G-R：接收通道小信号增益。IDQ-T：发射通道静态电流。IDQ-R：接收通道静态电流。NF：接收通道噪声系数。 RX-IN：接收通道输入。RX-OUT：接收通道输出。TX-IN：发射通道输入。TX-OUT：发射通道输