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ICS 31.080 CCS L 40/49
团 体 标 准
T/CASAS 029—2023
Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法
Test method for microwave characteristics of Sub-6GHz GaN
radio-frequency devices
版本:V01.00
2023-06-30 发布 2023-07-01 实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布
目 次
前言 III
引言 IV
范围 1
规范性引用文件 1
术语和定义 1
缩略语和符号 2
要求 2
通则 2
测试条件和环境要求 2
测试仪器 3
测试要求 3
测试方法 4
夹断电压测试 4
测试目的 4
测试框图 4
测试原理 4
测试程序 4
规定条件 5
栅-源泄漏电流测试 5
测试目的 5
测试框图 5
测试原理 5
测试程序 5
规定条件 5
栅-漏泄漏电流测试 6
测试目的 6
测试框图 6
测试原理 6
测试程序 6
规定条件 6
源-漏泄漏电流测试 6
6.4.1 测试目的 6
测试原理 6
测试程序 6
6.4.2 测试框图...6...4...5....规....定....条....件...................................................................................................................................................................................................................................6 7
栅-源二极管正向导通电压测试(适用时) 7
测试目的 7
测试框图 7
测试原理 7
测试程序 7
规定条件 7
额定增益测试 7
测试目的 8
测试框图 8
测试原理 8
测试程序 8
规定条件 8
饱和功率测试 9
测试目的 9
测试框图 9
测试原理 9
测试程序 9
规定条件 9
额定效率测试 9
测试目的 9
测试框图 9
测试原理 10
测试程序 10
规定条件 10
附录A (规范性附录) 测试结果记录表格示例 11
前 言
本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第 1 部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)制定发布,版权归 CASAS 所有,未经 CASAS 许可不得随意复制;其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASAS 允许;任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。
本文件主要起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学、河北博威集成电路有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人:默江辉、吴文刚、王金延、郭跃伟、刘相伍、刘建利、郑雪峰、迟雷、裴轶、徐瑞鹏。
6GHz 频段的 GaN 射频器件已经广泛部署在 5G 基
站中,用以增加集成度并增引强系统的言性能,因此正确测试和真实反映 GaN 射频器件的微波特性成为系统设计和应用的重要环节。针对以上实际需求,制定 Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相
着第五代移动关通规信范技,术对(研5发G)生的产快、速性发能展评,估Su、b-量产测试和应用评价等具有重要指导意义。
Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法
范围
本文件描述了 Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法,用户根据需求与实际情况参考使用。
本文件适用于共源组成方式的 GaN 射频器件的测试分析及质量评价。
规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件, 仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GJB 548C—2021 微电子器件试验方法和程序
术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
Sub-6GHz
5G NR 中的 FR1 频段,即处于 6GHz 以下的频率范围。
夹断电压 pinch-off voltage
漏极电压一定,在漏极电流降低到规定低值时的栅极电压。
栅-源泄漏电流 gate-source leakage current
漏极电压一定,在栅-源电压为规定值时的栅极电流。
栅-漏泄漏电流 g
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