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2023-11-25 发布于四川
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半导体装置.pdf

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本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：漂移层；耐压环；多晶硅场板，多晶硅场板设置于耐压环的表面的上方，多晶硅场板开设有第一过孔；第一介质层，第一介质层设置于多晶硅场板表面上方，第一介质层开设有第二过孔和第三过孔，第二过孔和第一过孔相对应，第三过孔和第二过孔在第一介质层的表面间隔设置；金属场板，金属场板设置于第一介质层表面上方，金属场板设置有第一电连接凸起和第二电连接凸起，第一电连接凸起依次穿设第二过孔和第一过孔且与耐压环电连接，第二电连接凸起穿设第三过孔且与多晶硅场板电连接。由此，可以使耐

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116974 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311118361.1 (22)申请日 2023.08.31 (71)申请人海信家电集团股份有限公司地址