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- 2023-12-04 发布于内蒙古
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电子
行业研究/行业点评
证 英伟达发布新一代AI 处理器,HBM 有
券
研 望进入增长快车道
究
报 ◼ 事件描述
告 11 月13 日,英伟达发布新一代AI 处理器H200 GPU ,预计将于2024 增持(维持)
年Q2 上市。H200 是首款搭载HBM3e 的GPU,显存为141GB,带宽
行 为4.8TB/s。对比H 100/H200 内存约提升2 倍,带宽约提升 1.4 倍;推 行业: 电子
业 理性能在Llama2(70B 参数)模型中是H100 的2 倍,在GPT3(175B 参 日期: yxzqdatemark
2023年11月21日
研 数) 中是H 100 的1.6 倍。
究 ◼ 核心观点
分析师: 陈宇哲
H200 首次配备 HBM3e ,高带宽存储有望进入快速成长期。根据
E-mail : chenyuzhe@yongxings
TrendForce 报告,2023 年HBM 需求将增长58%,2024 年有望再增长
约30%。根据e 互动平台,香农芯创作为SK 海力士分销商之一具有 SAC 编号: S1760523050001
HBM 代理资质, 2022 年已向客户销售海力士HBM 存储产品,未来
或将根据下游客户需求形成相应销售。雅克科技Low- α球形硅微粉产
近一年行业与沪深300 比较
线已经建设完成,前驱体订单 2023 年上半年较为饱满,供货韩国大
电子 沪深300
厂;High K 前驱体材料已导入一系列海内外存储大厂,随着HBM 需 20%
求量提升,公司前驱体业务发展有望提速。我们认为,H200 核心硬件 12%
升级主要是在于HBM3e,在大模型时代内存更加强调海量数据高并发 4%
处理能力,HBM 需求因此受益并有望实现快速增长,产业链相关公司 -4%
有望深度受益。 -12%
以HBM 为代表的存储器堆叠技术有望拉动先进封装需求。根据 SK -20%
行 海力士,HBM 采用先进封装方法,通过硅通孔(TSV)垂直堆叠多个 11/22 02/23 04/23 06/23 09/23 11/23
业 资料来源:Wind,甬兴证券研究所
DRAM,可显著提升数据处理速度。深科技目前bumping 产线已经完
点 成工艺技术的准备,产品良率已达到可以量产的水准。通富微电HBM
评 相关报告:
相关技术处于成长期,将积极开展相关研发布局、量产准备等前期工
作。长电科技子公司星科金朋已和国内外存储类产品厂商在高带宽存
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