pld系统脉冲激光沉积等离子体羽辉的实验研究.docxVIP

pld系统脉冲激光沉积等离子体羽辉的实验研究

20世纪60年代，红红玉机终于诞生了，它打开了一个激光和材料互动的新领域。人们发现当用激光照射固体材料时,有电子、离子和中性原子从固体表面“跑”出来,并在其附近形成一个发光的等离子区,其温度估计在几千到一万度之间,随后有人想到,若能使这些粒子在衬底上凝结,就可得到薄膜,这就是激光镀膜的概念。1965年,Smith等第一次尝试用激光制备了光学薄膜,但经分析发现,这种方法类似于电子束打靶蒸发镀膜,未显示出很大的优势,所以一直不为人们所重视。直到1987年,美国Bell实验室首次成功地利用短波长脉冲准分子激光制备了高质量的钇钡铜氧(YBCO)超导薄膜,脉冲激光沉积(PulsedLaserDeposition,简称PLD)技术才成为一种重要的制膜技术受到国际上广大科研工作者的高度重视。当前,PLD技术在铁电、半导体、金刚石(类金刚石)等多种功能薄膜以及生物陶瓷薄膜的制备上显示出广阔的应用前景。这种方法已发展成为最好的制备的薄膜方法之一。

1主要沉积系统

脉冲沉积系统一般由脉冲激光器、光路系统(光阑扫描器、会聚透镜、激光窗等);沉积系统(真空室、抽真空泵、充气系统、靶材、基片加热器);辅助设备(测控装置、监控装置、电机冷却系统)等组成(如图1所示)。

1.1wld原则

整个PLD镀膜过程通常分为三个阶段。

1.1.1汽化蒸发产生的原因

激光束聚焦在靶材表面,在足够高的能量密度下和短的脉冲时间内,靶材吸收激光能量并使光斑处的温度迅速升高至靶材的蒸发温度以上而产生高温及烧蚀,靶材汽化蒸发,有原子、分子、电子、离子和分子团簇及微米尺度的液滴、固体颗粒等从靶的表面逸出。这些被蒸发出来的物质反过来又继续和激光相互作用,其温度进一步提高,形成区域化的高温高密度的等离子体,等离子体通过逆韧致吸收机制吸收光能而被加热到104K以上,形成一个具有致密核心的明亮的等离子体火焰。

1.1.2等温激光膨胀导电法

等离子体火焰形成后,其与激光束继续作用,进一步电离,等离子体的温度和压力迅速升高,并在靶面法线方向形成大的温度和压力梯度,使其沿该方向向外作等温(激光作用时)和绝热(激光终止后)膨胀,此时,电荷云的非均匀分布形成相当强的加速电场。在这些极端条件下,高速膨胀过程发生在数十纳秒瞬间,迅速形成了一个沿法线方向向外的细长的等离子体羽辉。

1.1.3等离子体增强了热化区的晶核发生

激光等离子体中的高能粒子轰击基片表面,使其产生不同程度的辐射式损伤,其中之一就是原子溅射。入射粒子流和溅射原子之间形成了热化区,一旦粒子的凝聚速率大于溅射原子的飞溅速率,热化区就会消散,粒子在基片上生长出薄膜。这里薄膜的形成与晶核的形成和长大密切相关。而晶核的形成和长大取决于很多因素,诸如等离子体的密度、温度、离化度、凝聚态物质的成分、基片温度等等。随着晶核超饱和度的增加,临界核开始缩小,直到高度接近原子的直径,此时薄膜的形态是二维的层状分布。

1.2等离子体羽辉膜的优点

脉冲激光沉积技术是目前最有前途的制膜技术,该技术简单且有很多优点。

(1)可对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜,易于保证镀膜后化学计量比的稳定。与靶材成分容易一致是PLD的最大优点,是区别于其他技术的主要标志。

(2)反应迅速,生长快。通常情况下一小时可获1μm左右的薄膜。

(3)定向性强、薄膜分辩率高,能实现微区沉积。

(4)生长过程中可原位引入多种气体,引入活性或惰性及混合气体对提高薄膜质量有重要意义。

(5)易制多层膜和异质膜,特别是多元氧化物的异质结,只需通过简单的换靶就行。

(6)靶材容易制备不需加热,等离子能量高能量大于10eV,离子能量1000eV左右,如此高的能量可降低膜所需的衬底温度,易于在较低温度下原位生长取向一致的结构和外延单晶膜。

(7)高真空环境对薄膜污染少可制成高纯薄膜;羽辉只在局部区域运输蒸发,故对沉积腔污染要少地多。

(8)可制膜种类多,几乎所有的材料都可用PLD制膜,除非材料对该种激光是透明的。

同时PLD技术也存在一些缺点,主要表现在:①脉冲瞬间沉积时不能避免产生液滴及大小不一的颗粒的形成.会以大的团簇形状存留在膜中,影响膜的质量;②薄膜厚度不够均匀.融蚀羽辉具有很强的方向性,在不同的空间方向,等离子体羽辉中的粒子速率不尽相同,使粒子的能量和数量的分布不均匀;③等离子局域分布难以形成大面积的薄膜。

2薄膜沉积和光波长对激光吸收薄膜的影响

目前PLD制备薄膜所使用的激光器大多是准分子激光器和Nd:YAG激光器。由于Nd:YAG激光与材料之间有热消融作用,这会使材料的消融区出现伸展裂纹,有可见的热损害,因而不是PLD制备薄膜的最理想激光光源。准分子激光器的发射波长几乎都在200~400nm之间,光子