晶体三极管的主要特性课件.pptxVIP

第二章 晶体三极管;第二章 晶体三极管;2.1教学要求;2.2基本内容;;;1、结构：;;;晶体三极管的主要特性与它的工作状态有关：

、放大状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外加反偏电压。这种作用是实现放大器的基础。

、饱和状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外加正偏电压。

、截止状态：定义为发射结外加反偏电压，集电结外加反偏电压。

这两种模式呈现受控开关特性，实现开关电路的基础。;第一节 放大模式下晶体三极管;1、内部载流子传输过程：;以NPN型晶体三极管为例：;（1）、发射区向基区注入载流子的过程：

发射结正偏后，形成的正向扩散电流，是由发射区和基区得多子通过PN结而形成。;为满足电中性条件：

必须通过外电路向发射区补充电子，因此，外电路的电流为;（2）、集电结收集电子的过程：

由发射区向基区注入电子为基区的非平衡少子，在浓度梯度的影响下，边扩散、边复合，向集电结边界运动。并且，在集电结反偏电场的作用下，快速通过PN结，进入集电区形成电子电流。;ICn1;ICn1+ICp+ICn2;（3）、电子在基区扩散和复合的过程：;总结两个PN结，共同形成流入基区的载流子电流为

IEp+(IEn–ICn1)–(ICp+ICn2)

为满足电中性条件，必须通过外电路向基区补充空穴，因此，外电路的电流为：

IB=IEp+(IEn–ICn1)–(ICp+ICn2)=IEp+(IEn–ICn1)–ICBO

IB的方向为基极流入;综合前面的分析有：

IE=IEn+IEp

IC=ICn1+ICp+ICn2=ICn1+ICBOIB=IEp+(IEn–ICn1)–ICBO

IC+IB=ICn1+ICBO+IEp+(IEn–ICn1)–ICBO

= IEn+IEp=IE;讨论：

（1）、只有发射区中的多子，自由电子通过发射结;通过上面的分析可知，在制造晶体三极管时，必须满足下列条件：;2、电流的传输方程：;（1）、各极电流之间的关系式：

根据内部载流子传输过程分析可知，ICn1是由IEn转化得到的：;因此，;;已知：;故;由于;（b）、ICEO的物理含义;根据图可得：;3、一般模型：;VBE;（2）、简化电路模型：;电路可等效为：;晶体三极管的参数：