铁氧体材料加工技术.docx

铁 氧 体 材 料 加 工 技 术

铁筑体作为非金屈磁性材料，同样具有陶瓷材料的难加工特点，娥初只采用磨削的加工方式。随着加工技术的不断进步，目前铁筑体材料的加工方式已经多种多样。按不同领域的加工技术可以分为力学加工、化学加工、电加工、光学加工、复合加工等等．

其中较为常用的为力学加工，分为磨料加工和塑性加工两种类型，如图1-1所示。而较为普遍采用的还是以传统的磨削和切削进行粗加工，以精磨或者抛光、研磨对材料进行精加工。研磨和抛光是通过游离的磨料对被加工表面产生微细的去除作用，以达到平整化效果的一种超精密加工方法．

力学加工

1

11

粘

弹性流动加

工

II II

磨料加工

I塑性加工

金刚石塑

金

刚石塑性加

工

金

刚石塑性磨

削

II

II

研

抛

砂

滚

超

喷

磨

光

带

筒

声

丸

加

加

加

加

加

加

工

工

工

工

工

工

图1-1铁氧体材料力学加工方法

化学机械抛光技术ISi也称作化学机械平坦化技术(Chemical MechanicalPlanarization)。是集成电路制造过程自20世纪90年代以来橄主要的平坦化技术．传统的抛光方法有机械抛光和化学抛光两种，并且两种抛光方法各有优缺点。机械抛光对工件造成的破坏深度较深，并且抛光加工的表面质扯较差，但是抛光后表面的面型精度较高。化学抛光后工件的表面质扯较好，对工件造成的破坏深度较浅，并且表面粗糙度相对较低，但抛光速度过慢容易在工件表面产生化学腐蚀的雾斑。化学机械抛光(CMP)是将机械抛光和化学抛光两种抛光方式的优点集于一身的抛光技术，通过抛光液与工件待抛光表面进行化学反应，使工件表面被软化，再利用磨粒的机械式邸擦将工件软化表面的反应物去除，从而能够进行高效率、高表面质扯和高精度的抛光加工．

图1-2为化学机械抛光的原理示意，图，化学机械抛光系统由旋转的抛光头夹待器、抛光盘和抛光液供给装置组成，抛光垫置于旋转的抛光盘上，化学机械抛光过程是使待抛光工件表面与抛光垫相互接触，通过抛光头夹待器和抛光盘的转动形成相对运动，同时由系统提供的抛光液中含有磨粒、氧化剂与活化剂，使浸润在抛光液中的待抛光工件表面在抛光液的化学腐蚀与磨粒的机械靡擦相互作用下得到材料的去除，从而达到平坦化。化学机械抛光中的抛光液与工件的表面材料形成化学反应层，降低了工件表面材料的强度，因此使材料的机械式靡擦去除更为容易，而通过工件表面在抛光垫上的相对运动使表面的基体材料不断暴露出来，新的材料表面继续进行化学反应，如此往复循环，因此CMP抛光的加工效率要比单一的化学抛光与机械抛光要高几倍．

抛光液

- I一 ／ 抛光头夹待器

。

3

修整器 I

工件

抛光垫/ /I 抛光盘

图1-2 化学机械抛光原理示意图

化学机械抛光技术作为当前主流的超精密加工方法之一，具有其特有的有点。如(I)能够使被抛光工件同时获得局部和全局平整的表面，（2）能够对不同种类的材料进行加工，通过改变和控制抛光液中的化学成分变化以及调整不同的抛光参数来获得不同的加工效率，（3）化学机械抛光在化学腐蚀与机械去除的共同作用下具有较高的材料去除率，（4）化学机械抛光能够获得高质扯的加工表面，抛光表面平整度较高并且变质层很小(9(.

本论文主要研究几种不同运动形式的化学机械抛光机床的抛光轨迹，通过分析比较不同运动形式与抛光参数下工件与抛光垫的相对运动轨迹，研究抛光盘上不同位置的铁筑体工件表面的材料去除均匀性以及表面质扯的优劣，从而对抛光参数进行优化，实现铁氧体材料加工的高质扯以及高效率，为铁筑体器件的小型化目标提供指导和依据．

CMP机床分类

目前，化学机械抛光机床种类较多，按照不同的标准，CMP机床可以划分为不同的类型”01。按照抛光头与抛光垫的相对运动方式，CMP机床可分为以下几种类型：

(I)行星轮系式．

此类抛光机床主要包括行星式研磨抛光机和双面抛光机等，图1-3为某种双面抛光机的抛光机构图。其运动机构是一个差动式行星轮系，抛光工件置于行星轮环内。通过伺服电动机带动主轴转动，上下抛光盘、