《表面等离子体光刻正入射照明掩模制造工艺规范》.pdfVIP

ICS35.080

CCSC07

团体标准

T/CIXXX—2024

表面等离子体光刻正入射照明掩模制造

工艺规范

Manufacturingprocessspecificationforsurfaceplasma

photolithographynormalincidenceilluminationmask

（征求意见稿）

2024-XX-XX发布2024-XX-XX实施

中国国际科技促进会发布

T/CIXXX—2024

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4缩略语1

5工艺保障条件要求1

6材料要求4

7安全要求4

8工艺要求5

I

T/CIXXX—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由天府兴隆湖实验室提出。

本文件由中国国际科技促进会归口。

本文件起草单位：天府兴隆湖实验室……

本文件主要起草人：……

II

T/CIXXX—2024

表面等离子体光刻正入射照明掩模制造工艺规范

1范围

本文件规定了表面等离子体光刻正入射照明掩模制造的工艺保障条件要求、材料要求、安全要求、

工艺要求。

本文件适用于表面等离子体光刻正入射照明掩模的制造。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB8978污水综合排放标准

GB/T19022测量管理体系测量过程和测量设备的要求

GB/T25915.1—2021洁净室及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级

SJ/T10152集成电路主要工艺设备术语

SJ/T10584微电子学光掩蔽技术术语

3术语和定义

SJ/T10152、SJ/T10584界定的术语和定义适用于本文件。

4缩略语

CD：关键尺寸（CriticalDimension）

CD-SEM：特征尺寸测量用扫描电子显微镜（CriticalDimensionScanningElectronMicroscope）

CDU：临界尺寸均匀性（CriticalDimensionUniformity）

FOV：视场（FieldOfView）

MAM：