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背照式技术正逐渐成为中高端CMOS图像传感器主流技术

据报道，CMOS图像传感器技术演进路线从前照式（FSI）、背照式（BSI）到堆栈式，背照式技术正逐渐成为中高端CMOS图像传感器主流技术。

背照式CMOS图像传感器是把光电二极管放到微透镜、彩色滤波片下面，而原先的金属布线层则放到了光电二极管之后。相比前照式CMOS图像传感器，这种结构不仅增加了单位像素获得的光量，还有效抑制了光线入射角变化引起的感光度下降。但是，背照式CMOS图像传感器的制造工艺涉及晶圆的正面和背面，比前照式CMOS图像传感器复杂，带来的可靠性退化问题一直无法完全避免。

图（a）和图（b）：分别为前照式CMOS图像传感器和背照式CMOS图像传感器结构；图（c）：前照式和背照式CMOS图像传感器制造工艺流程对比

近期，意大利晶圆代工厂LFoundry和意大利罗马大学（SapienzaUniversityofRome）在IEEEJournaloftheElectronDevicesSociety期刊上发表一篇论文《背照式CMOS图像传感器性能和可靠性退化》（PerformanceandreliabilitydegradationofCMOSImageSensorsinBack-SideIlluminatedconfiguration）指出，在特定的失效模式下，前照式CMOS