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ReliabilityTest
Q/JLIGD004-2011
MOSFET晶体管可靠性试验标准
试样数
试验方法及条件
项目名称试验后合格判据（II类
除非另有规定，Tcase＝25℃
LTPT）
电参数测试试验前后电参数和测试条件依据具体型号产品规
依据具体型号产品规格书
PV格书
外形尺寸依据Q/IGD.J02-01-2005产品外形图册及
PDGB7581-87依据公司产品外形图册15
(B1/C1分组）在正常照明和视力条件下进行
引用标准：GB4937Ⅱ,1.2
引出弯曲不出现引线断裂、松动与本
受试引出端数=3，15
（B3分组）体发生位移
同方向弯曲二次，弯曲角度：90o
引用标准：GB4937Ⅱ,2.1
采用槽焊法
可焊性
焊料温度：270±5℃；浸浴时间：2±0.5S浸润不良面积小于引线表
SD15
浸入深度：离器件本体1.5mm之内面积的5％
（B4分组）
焊料：纯锡焊料
助焊剂：乙醇松香液
引用标准：GB4937Ⅲ,1
快速温度变化继两箱法：T=-55～-52℃，T=147～150℃IDSS≤2×规格书规定值
AB
之湿热循环循环次数=50VDSS满足规格书规定值
11
TC试验Db：方式2，严酷度2：55℃±2℃IGSS≤2×规格书规定值
(B5分组)周期数：6天RDS(ON)S满足规格书规定值
试后恢复待测试时间：30min
①高温反偏引用标准：GB/T6219-1998第8部分
IDSS≤2×规格书规定值
HTRB+16
②高温栅偏时间：168-10hVDSS
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