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微机电系统读书笔记

一、绪论

讨论MEMS的发展历史，集成电路技术是起始点。Intel公司1971年推出的Intel4004处理器芯片只集成了2250个晶体管，1982年问世的Intel286集成了120000个晶体管，而1999年推出的PentiumHI处理器集成的晶体管数目则达到了24000000。集成电路技术惊人的发展速度，是其他领域（能匹敌的。每隔12到18个月，芯片上晶体管的集成密度就会翻倍，这个增长规律被称为摩尔定律（Moorelaw）oIntel公司的创始人之一GordonMoore发现了集成电路的这个增长规律。这是一个极富创造力和远见的伟大论断。因为在过去的几十年里，多次担心摩尔定律所预测（或在某种意义上说是主宰的）的集成电路这种发展趋势将无法继续，而是到达基本物理学定律或那时的工程能力所施加的极限。然而，集成电路产业按照摩尔定律一直发展到今天，推动着信息社会的迅速发展。

MEMS的本质特征

小型化。典型MEMS器件的长度尺寸大约在lpm~lCm之间，当然，MEMS器件阵列或整个MEMS系统的尺寸会更大一些。小尺寸能够实现柔性支撑、带来高谐振频率、低热惯性等很多优点。然而，小型化带来的并不全是更好的特性，也可能带来问题。有些在宏观尺度下非常显著的物理效应，当器件尺寸变小以后，性能可能会变得很差。与之相反，有些对于宏观器件可忽略的物理效应，在微观尺寸范围内会突然变得突出，这称之为比例尺度定律。

微电子集成。MEMS最独特的特点之一是可以将机械传感器和执行器与处理电路和控制电路同时集成在同一块芯片上。这种集成形式称为单片集成，即应用整片衬底的加工流程，将不同部件集成在单片衬底上。单片集成不包含机器拾取或人工装配等混合组装方法。光刻技术可以确保器件尺寸和元件位置的精确性。

高精度的批量制造。MEMS加工技术可以高精度地加工二维、三维微结构，而采用传统的机械加工技术不能重复地、高效率地、或者低成本地加工这些微结构。结合光刻技术，MEMS技术可以加工独特的三维结构，比如倒金字塔状的孔腔、高深宽比的沟道、穿透衬底的孔、悬臂梁和薄膜。采用传统的机械加工和制造技术制备这些结构难度大、效率低。现代光刻系统和光刻技术可以很好地定义结构、整片工艺的一致性好、批量制造的重复性也非常好。

二、微制造

在研制和生产MEMS器件时，应注意微制造技术的两个方面。第一，MEMS制造并不是从传统的机械加工和制造工艺变化而来，它不包括研磨、车床加工、抛光、连接和焊接等工艺。因此，不熟悉集成电路制造工艺的MEMS初学者，应该首先了解微制造工艺的基本框架、特点及其局限性；第二，MEMS制造技术的基本工艺（微机械加工“工具箱”）发展迅速，因而MEMS领域正在使用其他材料种类、提高加工效率、降低制造成本。

微制造综述

MEMS和1C器件一般都制作在单晶硅圆片上。

传统的制造技术一般每次只处理一个部件，MEMS工艺则不同。例如，一个4英寸的硅晶片上可以有50多个上cmx-cm的重复单元在这种情况下每次丁艺中至少可以制作50个器件一个8英闩5U 夕］ 日J 夏中/L。1工况?I，乙丁） 巾JI F 5U ］右由|十。 Jo :jAt寸晶片将生产出约314个这种尺寸的芯片。为使批量生产的经济效益最大，器件应制作在大直径晶片上。目前，世界高水平制造工厂已使用12英寸（300哑）晶片。在一定的工艺下，合格芯片所占的百分比称为成品率。

这些晶片之间有间隔，从而可以将它们切割分离出来。每个分离的晶片称作芯片。将它们进行电互连和密封就可作为商品出售。这种将切出的芯片再封壳并构成系统的过程称为封装。

MEMS工艺和传统宏尺寸机械加工有很大区别，主要有下面几点：

1） 硅是MEMS和集成电路的主要衬底材料，机械特性较脆，不能用机械切割工具成形；

2） MEMS和集成电路制作在平面晶片上。平坦化不仅仅是方便于自动化圆片工艺，而且当光刻图形转移到平面衬底时，平坦化保证了一致的聚焦距离，从而得到较高的均匀性和分辨率。圆片的平整度也保证了整个圆片表面有相同的晶向。

3） MEMS芯片或元件一般很小，现有的机器人设备很难夹住、有效处理和装配它们。

微电子制造工艺

集成电路制造过程包括许多步骤：如材料的淀积、材料的去除、图形化等。

场效应晶体管（FET）是现代集成电路的结构单元，重复淀积-光刻-刻蚀过程，可以得到任何复杂的器件。

硅基MEMS工艺

微电子工业已建立了成熟的工艺技术，并且在工艺控制和质量管理上也有良好基础，所以MEMS器件首先在硅圆片上发展起来。

硅有三种形态：单晶硅、多晶硅和非晶硅。在单晶硅（scs）材料中，晶格是规则排列的。单晶硅通常