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- 2024-03-05 发布于江苏
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实验3氧化锌纳米阵列的制备
【摘要】水热法是合成氧化锌纳米阵列的基本办法之一,通过本实验进一步研究氧化锌纳米线的制备工艺,学会氧化锌纳米线透射率的测量办法,并掌握半导体材料禁带宽度的基本计算办法。
【核心字】水热法纳米线禁带宽度
引言
氧化锌(ZnO)是一种含有纤锌矿构造的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,由于其含有优秀的光电性质而有很大的使用价值和研究价值,如它对可见光的高透过率,能用作透明导电涂层;含有光电效应,能用于紫外激光器件和太阳能电池等[1]。为了获得或改善其某首先的性质,运用多种办法掺杂或制备含有特定形貌的氧化锌纳米材料成为近年来研究的热点。而水热法制备ZnO纳米材料,以其设备简朴、原料便宜、条件易控、适合大面积生长等优点而被广泛采纳。本实验重要是采用水热法合成氧化锌纳米线,并测量纳米线的透射率,通过计算得出制备的氧化锌禁带宽度为3.34eV,与理论值基本吻合。
实验目的
理解水热合成氧化锌纳米线的原理以及基本操作办法;
独立制备出氧化锌纳米线;
掌握纳米线透射率的表征办法和半导体禁带宽度的计算办法;
掌握实验数据解决办法,并能运用Origin绘图软件对实验数据进行解决和分析。
实验仪器设备和材料清单
水浴锅、紫外可见分光光度计、量筒、样品瓶、PH试纸、
试剂:硝酸锌、乙醇胺、正丁醇、高锰酸钾、氨水、酒精、稀硝酸
实验原理
纳米氧化锌概述[2]
氧化锌(
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