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第3章逻辑门电路概述一、门电路的作用和常用类型二、高电平和低电平的含义3.1分立元件门电路一、三极管的开关特性分立元件门电路TTL集成逻辑门CMOS集成逻辑门本章小结主要要求：了解逻辑门电路的作用和常用类型。理解高电平信号和低电平信号的含义。按逻辑功能不同分按电路结构不同分TTL即Transistor-TransistorLogic与门或门非门异或门与非门或非门与或非门TTL集成门电路CMOS集成门电路按功能特点不同分普通门（推拉式输出）CMOS传输门输出开路门三态门输入端和输出端都用三极管的逻辑门电路。用互补对称MOS管构成的逻辑门电路。CMOS即ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor门电路(GateCircuit)指用以实现基本逻辑关系和常用复合逻辑关系的电子电路。是构成数字电路的基本单元之一由门电路种类等决定高电平和低电平为某规定范围的电位值，而非一固定值。因为数字电路中的信号只有高电平和低电平两种取值，只要能明确区分它们即可。允许高电平和低电平为某规定范围的电位值而非一固定值，是数字电路抗干扰能力强的重要原因之一。10高电平低电平01高电平低电平正逻辑体制负逻辑体制主要要求：理解三极管的开关特性了解二极管门电路的组成及工作原理掌握三极管非门电路及组合门电路当输入uI为低电平，使uBE0.5V时，三极管截止。iB≈0，iC≈0，C、E间相当于开关断开。三极管关断的条件和等效电路uI增大使uBE0.5V时，三极管开始导通，iB0，三极管工作于放大导通状态。uBE≈UBE(on)≈0.7VIC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS负载线临界饱和线饱和区放大区uI增大使iB增大，从而工作点上移，iC增大，uCE减小通常用硅管门限电压Uth=0.5V截止区uBE0.5VBEC三极管截止状态等效电路iB≥IB(sat)BEUBE(sat)CUCE(sat)三极管饱和状态等效电路三极管开通的条件和等效电路uBE≈UCE(sat)≈0.3V≈0，C、E间相当于开关合上。当输入uI为高电平，使iB≥IB(sat)时，三极管饱和。uI=UILuI=UIHuBE+-uBE+-S为放大和饱和的交界点，这时的iB称临界饱和基极电流，用IB(sat)表示；相应地，IC(sat)为临界饱和集电极电流；UBE(sat)为饱和基极电压，UBE(sat)≈0.7V；UCE(sat)为饱和集电极电压，UCE(sat)≈0.3V。在临界饱和点三极管仍然具有放大作用。iB愈大于IB(Sat)，则饱和愈深。由于UCE(Sat)≈0，因此饱和后iC基本上为恒值，iC≈IC(Sat)=开关工作的条件截止条件饱和条件uBE＜0.5ViB＞IB(Sat)可靠截止条件为uBE≤0VCCVCCt0t0【例】电路如图所示，已知输入uI的波形，试画出输出uO的波形。+?RcRb+VCC(5V)+uo?iBiCTuI3V0V2k?2.3k?解：发射结反偏T截止发射结正偏T饱和导通≤IC(sat)OOOuIiCuOtttUIHUILVCCUCE(sat)上例中三极管反相器的工作波形是理想波形，实际波形为：uI从UIL正跳到UIH时，三极管将由截止转变为饱和，iC从0逐渐增大到IC(sat)，uC从VCC逐渐减小为UCE(sat)。uI从UIH负跳到时UIL，三极管不能很快由饱和转变为截止，而需要经过一段时间才能退出饱和区。需要经过一段时间才能退出饱和区0.9IC(sat)ton0.1IC(sat)toffuI正跳变到iC上升到0.9IC(sat)所需的时间ton称为三极管开通时间。通常工作频率不高时，可忽略开关时间，而工作频率高时，必须考虑开关速度是否合适，否则导致不能正常工作。动态开关特性然后逐渐转变为截止开关时间主要由于电荷存储效应引起，要提高开关速度，必须降低三极管饱和深度，加速基区存储电荷