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一种基于无掩模二次外延的micro-LED芯片阵列的制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-27 发布于四川
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一种基于无掩模二次外延的micro-LED芯片阵列的制备方法.pdf

    本发明公开了一种基于无掩模二次外延的micro‑LED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀，形成应力弛豫图形化GaN模板，再在应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构，有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀，从而避免了多量子阱的侧壁刻蚀损伤；应力弛豫图形化GaN模板使得n型掺杂的GaN受到的应力得到有效弛豫；在应力弛豫图形化GaN模板上生长的预应力层，所受到的压应力得到部分弛豫，面内晶格常数得到扩张，从而减小铟并入所需要的能量，增加多量子阱中铟的并入；在制备应力弛豫

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117766642A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311841111.0H01L27/15(2006.01)

    (22)申请日2023.12.

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