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微电铸工艺参数等探究

0前言

微电铸工艺(microelectroformingtechnology)是在老式电铸工艺基本上建立起来新概念,具备微小构导致型、复杂构导致型、高精度和批量生产等突出长处，它既可以看作是在微细加工模具基本上老式电铸技术延伸，也可以以为是掩膜电镀在高深宽比喻向发展成果，微电铸工艺是LIGA/准LIGA技术核心内容，其中LIGA是德文Lithographie、Galvanoformung和Abformung三个词缩写，是X射线深层光刻、微电铸和微复制工艺完美结合，在MEMS技术领域有广泛应用[1]。从本质上分析，LIGA/准LIGA工艺微电铸可以分为性质不同两个阶段：第一阶段是在掩模微构造深层填充金属；第二阶段是在整个光刻胶和金属构造表面沉积厚度为6-10mm厚金属膜，以便加工成压铸膜基座。

1微电铸工艺研究进展与趋势

对微电铸工艺技术难点，研究人员在理论分析基本上，从微电铸过程数值模仿和工作参数实验优化等方面开展工作，摸索微电铸内在规律，获得了一系列进展，形成某些有重要参照价值工作规范和指引意见，有力增进了微电铸技术在MEMS领域广泛应用[2]。

一方面，基于高深宽比掩膜微构造是微电铸工艺核心影响因素结识，建立了可以体现高深宽比微区传质特性电极界面模型。在微流体运动中引入高深宽比构造因素，建立了可以体现高深宽比微构造对界面稳定层增厚产生影响电极界面物理模型。

另一方面，通过数值解析，系统分析普通镀液体系典型构造中电流密度再分布规律。如果待镀微区开口尺寸较大，也就是掩膜微构造深宽比较小，则微电铸电流在沉积区域再分布并不充分，接近掩膜边沿电流密度将明显高于中心部位，形成边沿高而中间低马鞍型厚度分布这是掩膜电镀体系中常用厚度分布样式。如果待镀微区开口较小，也就是高深宽比微构造掩膜存在情形，则在进入掩膜开口区域之后，电流密度将在传质阻力作用下实现充分再分布，形成中间某些电流密度较大，整体镀层厚度比较均匀抱负成果。

微电铸工艺是LIGA/UV-LIGA技术核心内容,在MEMS技术和微/纳米制造领域中有着良好应用前景[3]。作为一种先进制造技术,微电铸工艺重要用于制作各种精密、异型、复杂、微细等难以用老式加工办法制得或加工成本很高构造,合用于航空、航天、核工业、仪器仪表、微型机械等高新技术领域,并受到日益广泛关注。然而,微电铸工艺中存在铸层厚度均匀性差、制作周期长、残留内应力大、铸层易浮现缺陷及硬度低等局限性也严重制约着其应用与发展,因而有必要对其进行进一步研究,解决其存在问题,这对于提高微电铸工艺水平、推动其发展具备非常重要现实意义。

2微电铸工艺简介

2.1微电铸基本过程

图1为微电铸简易装置示意图[4]。重要由电极、电解液和电源构成。电解液是电铸时金属离子载体，是具有金属盐且易于导电溶液。普通包具有其她添加剂以增强电铸质量。电极有阴极和阳极，阴极与电源负极相连，普通是用于电铸微构造样片，阳极与电源正极相连，普通是与微电铸构件相似材料金属物。

电铸过程是一种电化学过程，它涉及阳极过程、液相中传质过程（迁移，对流和扩散过程）以及阴极过程。不同于表面电镀，微电铸是在深微槽中填充金属，如何将电铸液迅速均匀地传播到深微槽中是微电铸核心，必要因而对作为金属离子载体电铸液成分传播方式做详细研究。被沉积离子重要以迁移扩散和对流三种方式传播电极。

图1微电铸工作原理图

2.2微电铸工艺特点

与老式电铸工艺相比，微电铸工艺特点重要体当前如下几种方面：

1．作为待镀微型模具光刻胶微构造不导电给深孔和细缝填充创造了也许。老式电铸屏蔽作用，微细深孔难以密实填充，往往形成封闭空腔，但是，由各种深度光刻和刻蚀所形成深槽、深孔，它们侧壁普通不导电，对进入孔内电流并不产生屏蔽作用。因此，合理调节电铸工作参数，可以通过微电铸填充微型缝隙和孔洞，制造高深宽比金属微构造。

2．镀件整体尺寸较小，起始面处在同一种平面上，但是被不导电光刻胶分割成不同形状区域。这些微社区域或互相连通或互相隔绝。但是由于处在同一种平面上，并且尺寸较小，即存在电流分布严重不均匀现象。

3．微电铸工件所要填充孔洞都是盲孔，镀液浸润和完全填充需要谨慎对待，微电铸过程中析出氢气需要设法予以排除。开口很小微细盲孔很难为普通电解液所填充，表面张力是重要因素，添加表面活性剂以减少电镀液表面张力是解决问题惯用办法，但是依然必要辅以机械震动或超声搅拌等辅助办法才可以使存于盲孔内气体离开，这些都要在工艺设计中加以考虑。

综合以上分析，微电铸不但兼有掩膜电镀和老式电铸两个方面特性[5]，并且尚有其自身需要解决独特技术问题，因而需要开展进一步系统工艺技术研究。

3微电铸电铸液成分研究

采用电化学测量技术，可以研究微电铸过程电极反映典型电化学特性，提供镀液改良和工艺参数优