薄膜材料与技术（全套课件）上 PPT课件.pptxVIP

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ThinFilmMaterialsTechnologies;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;概念;化学气相沉积（CVD）

CVD沉积装置

六、有机金属化合物CVD（MOCVD，MetalOrganicCVD）：2）MOCVD的反应物气体：

①对反应物的要求：1）常温稳定性好，较易处理；

反应副产物不应阻碍外延生长，不污染生长层；

室温下具有较高的蒸气压[≥1Torr(≈133Pa)]，易于实现低温挥发。

?强非金属性元素的氢化物;1）概述;2薄膜沉积的化学方法 ;2.2化学气相沉积（CVD）

2.2.3CVD沉积装置

七、等离子体增强CVD（PECVD，PlasmaEnhancedCVD）：

⑧PECVD沉积薄膜的主要微观过程：

气体分子与高浓度高能电子碰撞生成离子及活性基团；

活性基团直接扩散到基片；

活性基团与其它气体分子作用，形成所需前驱分子；

所需前驱分子扩散到基片；

未经活化气体分子直接扩散到基片；

部分气体被直接排出；

到达基片表面的各种基团反应沉积，并释放反应副产物。;2薄膜沉积的化学方法 ;化学气相沉积（CVD）

CVD沉积装置

七、等离子体增强CVD（PECVD，PlasmaEnhancedCVD）：3）电感耦合型射频PECVD装置：

①工作原理：

?置于反应器之外的线圈由射频电源驱动产生高频交变电场

?高频电场诱发室内气体击穿放电、电离形成等离子体

?在反应气体下游放置基片，即可得到薄膜的沉积

?也可以在上游只通入惰性气体，而在下游输入反应气体，使之在惰性气体电离的等离子体作用下活化反应，完成沉积

②主要优点：

无电极放电，不存在离子轰击电极/基片而造成的溅射污染；

不存在电极表面转为弧光放电的风险，不会损坏电极；

可提高等离子体密度两个数量级（↑1012e/cm3）。

③主要缺点：;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;化学气相沉积（CVD）

CVD沉积装置

七、等离子体增强CVD（PECVD，PlasmaEnhancedCVD）：6）关于PECVD的小结：

①PECVD不能替代其它CVD方法；

②PECVD沉积的薄膜质量优于传统CVD；

③PECVD应用广泛，但成本可能很高；

④PECVD的主要优点在于：

低温沉积；

薄膜的内应力小、不易破损；

薄膜的介电性能好；

化学反应没有温度依赖性。

课后作业：

1、化学方法制备薄膜的主要特征是什么？基本分类如何？

2、画出CVD的基本工作原理框图。

3、举例说明CVD的六种主要化学反应类型。

4、分析对比激光辅助CVD、光化学气相沉积和PECVD的异同点。;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2薄膜沉积的化学方法 ;2）最常用的化学镀 化学镀镍（镍磷镀）;2薄膜沉积的化学方法 ;2.4.2溶胶-凝胶技术;3薄膜沉积的物理方法 ;3薄膜沉积的物理方法 ;3薄膜沉积的物理方法 ;1 影响沉积速率的因素：;?实际蒸发过程中 真空环境内总是存在一定量的残余气体分子 其影响主要表现在：;3薄膜沉积的物理方法 ;将待蒸发材料放置在电阻加热装置中 利用电阻热加热待;待蒸发材料以粉末形式被送入送粉机构 通过机械式或;3薄膜沉积的物理方法 ;3薄膜沉积的物理方法 ;采 真空电弧作为蒸发热源 电源 以是直流或交流;1 溅射(S i );3 溅射与蒸发的根本区别;4 溅射镀膜何以实现？;溅射沉积技术

溅射的