溅射时间对磁控溅射V2O5离子储存薄膜结构与性能的影响.docxVIP

在ITO玻璃基体上采用磁控溅射法制备用于电致变色玻璃的V2O5离子储存薄膜，重点研究了溅射时间（2~5h）对V2O5薄膜结构与性能的影响。图1示出了薄膜退火温度为400℃、退火时间3h热处理的V2O5薄膜厚度随溅射时间变化的关系。从图1中可以看出，V2O5薄膜厚度随溅射时间延长而线性增加，溅射2、3、4、5h所得V2O5薄膜的厚度分别为104.25、119.86、134.88、149.96nm。

图1?溅射时间与薄膜厚度的渐变曲线

众所周知，厚度对透光率影响较大，而电致变色玻璃对着色/褪色的透光率有一定要求，因此，对不同溅射时间制得的V2O5薄膜进行紫外分光光度计的测试，见图2。由图2可知，溅射2~5h所得V2O5薄膜在可见光范围内的平均透过率为92.92%～72.27%，即当溅射时间由2h增加到5h，V2O5薄膜厚度增加了43.85%，透过率降低了22.22%，即厚度阻碍了部分可见光的透过。

图2溅射时间对V2O5薄膜透过率的影响

图3示出了不同溅射时间下制备的V2O5薄膜电化学性能。从图3（a）可以看到，所有薄膜的循环伏安曲线均是闭合曲线，在50次循环后，薄膜仍具有锂离子嵌入/脱出可逆性，氧化峰和还原峰说明薄膜在氧化与还原过程中（嵌锂态和脱锂态）均发生了氧化还原反应。当溅射时间为4h和5h时，V2O5薄膜峰电流分别为4.41mA和5.67m