含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶合成及其微波性能.docxVIP

第12期1682?1692第40

第12期1682?1692

第40卷

2023年12月

CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY

DOI：10.19894/j.issn.1000-0518.230178

含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶合成及其微波性能

李世伟1胡旭1罗晨潇1刘之禾1张智勇1*汪相如2

1（武汉轻工大学化学与环境工程学院，武汉430023）

2（电子科技大学光电科学与工程学院，成都611730）

摘要近年来，随着液晶微波移相器技术的研究发展，如何降低液晶材料高频介电损耗已成为微波通讯器件发展的关键问题。本文设计合成了7种具有较宽向列相温度范围（89.5~127.7℃)的含氟三苯乙炔异硫氰酸酯液晶化合物(Ⅰ1?Ⅰ7），其中Ⅰ1?Ⅰ3具有相对较低的熔点（45.8~67.2℃);将其与溶剂液晶侧乙基三苯二炔类组合物（M）按一定质量比混合后，采用矩形谐振腔微扰法测试其在微波频段（11~33GHz）时的介电性能，并通过分子模拟计算探讨了分子结构和取代基对液晶在高频下介电性能的影响。结果表明，对于所合成的液晶化合物，其分子偶极矩和极化率越大，其介电常数和高频介电损耗也越大；在分子末端烷基引入支链不仅可以降低熔点，还会减小分子的偶极矩和介电常数，使其损耗降低；在苯环之间插入乙炔键不仅能够增加分子的π-电子共轭体系、介电常数和双折射率，还能降低其介电损耗；与异硫氰基相连的苯环侧位被二氟原子对称取代（X1和X2）化合物的介电各向异性(Δεr＞1.025）大于中心苯环侧位二氟原子对称取代化合物（X3和X4），但后者的介电损耗较低。

关键词含氟三苯乙炔；异硫氰基液晶；高介电各向异性；低介电损耗

中图分类号：O621.3文献标识码：A文章编号：1000-0518（2023）12-1682-11

向列相液晶作为一种介电各向异性光电材料，通过外加偏置电压实现介电常数连续变化，当微波在液晶介质中传播时，变化的介电常数导致微波相位的改变，从而实现微波相位连续可调谐作用，可应用于微波通讯传输器件中［1］，与传统移相器相比，液晶的移相器由于成本低、连续可调、体积小和可集成到晶圆系统上［2］，使液晶成为微波移相器可调谐介质材料的有力竞争者。

1993年，Jost等［3］首次尝试将液晶材料拓展到微波领域，使用德国Merck公司K15（双折射率Δn=0.2）液晶，发现高介电各向异性向列相液晶可作为介质材料用于微波领域［4］；2004年，Michael等［5］报道了末端含―NCS、―F、―CF3和―CN等基团的液晶化合物的合成，其中，末端含―NCS液晶化合物的高双折射率有利于提高微波相位调谐性能；2013年，Dabrowski等［6］对比了含苯环和三键以及―NCS、―CN和―F等基团的微波性能，进一步发现末端含有―NCS化合物的综合性能最好；2013年，彭增辉等［7］合成了6种具有较低熔点（74.2~91.5℃)和高折射率（0.422~0.513）的异硫氰基含氟三苯乙炔类化合物，但未研究其微波高频介电性能；2018年，Kowerdziej等［8］报道了含氟二苯乙炔异硫氰酸酯类液晶组合物在6GHz频段的可调谐性随温度的变化情况，发现异硫氰基和乙炔基等结构单元在微波频段的介电性能稳定；2021年，刘豪浩等［9］研究了在四联苯环侧位上引入甲基和氟原子对液晶材料熔点、微波频段介电性能的影响作用。当甲基位于中间苯环左侧点位时，其熔点较低，向列相温度范围较宽，具有较大的介电常数和较小的微波介电损耗；甲基位于苯环右侧点位的化合物介电常数小一些，但其微波介电损耗也小；末端苯环单氟取代化合物的介电常数和介电损耗值比双氟取代化合物大；2021年，李诗妍等［10］报道了含氟三苯乙炔异硫氰基类化合物在微波频段具有较低介电损耗，并指出苯环侧位氟原子取代数量和位置对微波介电性能有一定影响作用，苯环侧位被二氟原子对称取代时的液晶化合物表现出较低的介电损耗，非对称取代时表现出较大的介电损耗。

但以上所述液晶化合物普遍存在熔点偏高、或介电常数偏低，或介电损耗偏大等问题，基于此，本文

2023-06-17收稿；2023-11-21接受

中央军委装备发展部重大预研项目基金（No.61409230701）和广东省