太阳电池的原理及结构.ppt

(3)非晶硅薄膜电池背面接触n-a-SiSnO2玻璃p-a-Sii-a-Si采用低温等离子气相沉积法(PECVD)，基本原理就是利用硅烷在低温等离子的作用下分解产生非晶硅，反应式：SiH4=Si+2H2制备n-a-Si薄膜，反应同时通入磷烷制备p-a-Si薄膜，反应同时通入硼烷第32页,共42页，2024年2月25日，星期天(4)CIS薄膜电池CIS(CIGS)-基薄膜太阳能电池指以CuInSe2、CuInS2、Cu(In,Ga)Se2等化合物为吸收层的太阳电池。其典型结构为如下的多层膜结构：金属栅/减反膜/透明电极/窗口层/过渡层/光吸收层/背电极/玻璃。第33页,共42页，2024年2月25日，星期天CIS(CIGS)-基薄膜太阳能电池所具有的优势：CIS和CIGS是一种直接带隙半导体材料，光吸收率高达105数量级，是至今报道过的半导体中光吸收系数最高的。最适合太阳电池薄膜化，电池厚度可做到1-2微米，降低了昂贵的材料消耗。制造成本低其成本是晶体硅太阳能电池的1/2-1/3。能量偿还时间在一年之内，远远低于晶体硅太阳能电池。电池性能稳定，西门子公司制备的CIS电池组件在美国国家可再生能源实验室(NREL)室外测试设备上，经受7年的考验仍然显示着原有的性能。转换效率高，实验室记录为21.5%。CIS(CIGS)-基薄膜太阳能电池中最重要、最关键的是CuInSe2(CuInGaSe2)吸收层，我们下面介绍CuInSe2(CuInGaSe2)的制备方法。第34页,共42页，2024年2月25日，星期天CIS薄膜主要的制备技术包括：真空蒸镀、电沉积、反应溅射、化学浸泡、快速凝固技术、化学气相沉积、分子束外延、喷射热解等。按照初期投资资本的大小又可以将上述技术划分为真空制备技术与非真空制备技术两类，下面我们分别介绍一下。真空技术过程共蒸技术Co-evaporationSe过量的气氛下，计量比的金属流在加热基底上（400～600℃）热蒸发沉积二态工艺Two-stageprocess在温度较低（＞200℃）基底溅射前驱体在H2Se或H2S气氛下，较高的基底温度（450～600℃），硒化反应CIS薄膜的真空沉积技术VacuummethodsofCIGSthinfilms第35页,共42页，2024年2月25日，星期天按照蒸发热源数目的多少可分为单源蒸发、双源蒸发和三源蒸发。单源蒸发就是利用单一热源(如热丝)加热CIS合金，使之蒸发沉积到玻璃基片上，获得CIS薄膜；双源蒸发即利用两个热源分别是Cu3Se2和In2Se3蒸发后沉积在基片上，获得单相薄膜；三源蒸发即利用三个热源使Cu、In和Se三者分别蒸发后共同沉积到基片上，采用三源蒸发的关键是要控制三者蒸发和沉积的速率，以获得预期的成分。真空蒸发法：第36页,共42页，2024年2月25日，星期天溅射过程可定义为因受到高能粒子的撞击而引起的靶粒子喷射。该技术是物理过程而不是化学过程。因此极适于生长熔点和蒸气压都不相同的元素所构成的化合物合金以及大面积薄膜的沉积。真空溅射法：溅射法一般先利用Cu、In或Cu-In合金靶材溅射Cu/In、Cu/In/Cu等元素堆积的多层膜或Cu-In合金膜；然后多层膜或Cu-In合金膜在H2Se或Se蒸气中进行硒化处理，从而得到CIS薄膜。第37页,共42页，2024年2月25日，星期天CIGS非真空沉积技术Non-vacuummethodsofCIGSthinfilms非真空技术前驱物沉积硒化处理电沉积Cu、In、Ga、Se的化合物或元素的堆积层在惰性/Se/H2Se/H2S的气氛中，硒化再结晶涂层Cu、In、Ga、Cu-In合金、Se等涂浆高温退火再结晶喷涂热解Cu、In、Ga、Se的化合物粘结剂清除，在H2下还原成金属合金在Se/H2Se/H2S的气氛中硒化反应第38页,共42页，2024年2月25日，星期天1电沉积：电沉积是一种电化学过程。电沉积已成功用于4元化合物CIGS膜，在经过后续处理后，小面积电池的转换率超过10％。通过添加In和Ga，并在高温真空热处理后，转换率达15.4％。目前的困难仍然是化学溶液的稳定性，大面积膜的均一性和高沉淀率。2涂层：涂层是一种快速的工艺，可用于连续滚动沉积。涂浆作为转化介质，可以由按化学计量配比的前驱体物质（纳米粒子）和液体粘结剂组成。在蒸发、溅射等工艺中前驱体的许多有用部分都浪费了，