基于70+nm+InP+HEMT工艺的230～250+GHz低噪声放大器设计.pdfVIP

第42卷第1期红外与毫米波学报Vol.42，No.1

2023年2月J.InfraredMillim.WavesFebruary，2023

文章编号：1001-9014（2023）01-0037-06DOI：10.11972/j.issn.1001-9014.2023.01.006

基于70nmInPHEMT工艺的230~250GHz低噪声

放大器设计

1112*3

刘星，孟范忠，陈艳，张傲，高建军

（1.中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄050051；

2.南通大学交通与土木工程学院，江苏南通226019；

3.华东师范大学物理与电子科学学院，上海200241）

摘要：基于70nmInPHEMT工艺，设计了一款五级共源放大级联结构230~250GHz低噪声太赫兹单片集成电路

（TMIC）。该放大器采用扇形线和微带线构成栅极和源极直流偏置网络，用以隔离射频信号和直流偏置信号；基于

噪声匹配技术设计了放大器的第一级和第二级，基于功率匹配技术设计了中间两级，最后一级重点完成输出匹配。

在片测试结果表明，230~250GHz频率范围内，低噪声放大器的小信号增益大于20dB。采用Y因子法对封装后的

低噪声放大器模块完成了噪声测试，频率为243~248GHz时该MMIC放大器噪声系数优于7.5dB，与HBT和CMOS

工艺相比，基于HEMT工艺的低噪声放大器具有3dB以上的噪声系数优势。

关键词：铟磷高电子迁移率晶体管（InPHEMT）；低噪声放大器（LNA）；太赫兹集成电路（TMIC）

中图分类号：O43文献标识码：A

Designof230~250GHzlownoiseamplifierbasedon70nmInP

HEMTprocess

1112*3

LIUXing，MENGFan‐Zhong，CHENYan，ZHANGAo，GAOJian‐Jun

（1.The13thResearchInstitute，CETC，Shijiazhuang050051，China；

2.SchoolofTransportationandCivilEngineering，NantongUniversity，Nantong226019，China；

3.SchoolofPhysicsandElectronicScience，EastChinaNormalUniversity，Shanghai200241，China）

Abstract：Basedonthe70nmInP