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Flash介绍

SLC(单层单元闪存)

NAND

MLC(多层单元存储技术)

Flash分类nor(intel开发)

AG_AND(瑞萨)

Flash存储的基本原理FLASH为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极,浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的电荷势阱。向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程.向浮栅中注入电荷表示写入了0，没有注入电荷表示1，所以对FLASH清除数据是写1的，这与硬盘正好相反.

NandflashNorflashNand与Nor的主要区别1,NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的2,NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，成本要低一些，而容量大得多.3,Nand的写入和擦除速度比Nor快，而Nor的随机读取速度比Nand快。4,Nand主要用于高数据存储密度的理想解决方案，Nor主要用于存储代码。Nand的分类SCLMLCSCL工作原理简单来说，是在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅（FloatingGate，闪存存储单元中存放电荷的部分），数据是0或1取决于浮动栅中是否有电荷。有电荷为0，无电荷为1。写入时只有数据为0时才进行写入，写入方式是向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电荷能量。电荷突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。MLC其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个浮动栅，然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。SLC与MLC的区别SLC优点:擦写次数达10万次，寿命长

???????????功耗低，省电

???????????写入速度快SLC缺点：单位容量造价成本比较高

???????????MLC优点：单位容量造价成本低MLC缺点:编程速度慢,擦写次数少怎么样区分flash是MLC还是SLC?1.通过各个公司的flash命名规则去判别.2.如果不知道命名规则,对于一个新的flash,它的datasheet里面会有描述表明它是MLC还是SLC.一般要去通过它的ID号来判断它是SLC还是MLC.AG-Andflash比传统flash拥有更小面积,更快速度.AG-And之所以能缩短写入时间,主要是写入时施加在源极电极上的电压由原来的0v变成了-0.7v的负电压,漏极的电压和过去的一样仍为+5v.由此,源漏之间的电压差增大,更容易产生热电子,更容易将产生的热电子注入到浮栅中去.利用这种效果,增加了单位时间注入浮游栅的电荷量,由此缩短了写入时间.第一部分结束Flash的基本结构和基本操作基本结构管脚说明:基本操作1--（Commandinput）命令输入命令输入时先要选中要进行对其下命令的flash,将它的CE置低电平,表示选中该flash进行操作.同时CE置低电平,CLE置高,WE置低.ALE置低表示接下来输入I/O口的数据将作为命令.WE置低表示从现在起I/O口输入的数据将会被作为命令,WE上升沿的时候,把I/O口的数据锁存到缓存器,然后交给flash的控制处理单元处理.2――（Addressinput）地址输入3――数据输入（Datainput）:4――状态读取（Statusread）:5――读取页数据（pageread）:6――写页存储单元（PageProgram）:7――随机数据输入（Randomdatainputinapage）:所谓随机数据输入（Randomdatainputinapage），就是在进行PageProgram操作时，先将数据从I/O口读到页