37.STM32单片机DS18B20温度传感器实验.pptVIP

DS18B20温度传感器实验本讲主要内容 1.DS18B20介绍 2.温度读取介绍 3.硬件电路 4.编写DS18B20温度控制程序 1.DS18B20介绍 DS18B20是由DALLAS半导体公司推出的一种的“一线总线（单总线）”接口的温度传感器。与传统的热敏电阻等测温元件相比，它是一种新型的体积小、适用电压宽、与微处理器接口简单的数字化温度传感器。DS18B20温度传感器具有如下特点：1、适应电压范围更宽，电压范围：3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数据线供电2、独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。3、DS18B20支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温。4、DS18B20在使用中不需要任何外围元件，全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内。5、温范围－55℃～+125℃，在-10～+85℃时精度为±0.5℃。 6、可编程的分辨率为9～12位，对应的可分辨温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃，可实现高精度测温。7、在9位分辨率时最多在93.75ms内把温度转换为数字，12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字，速度更快。8、测量结果直接输出数字温度信号，以一根总线串行传送给CPU，同时可传送CRC校验码，具有极强的抗干扰纠错能力。9、负压特性：电源极性接反时，芯片不会因发热而烧毁，但不能正常工作。 DS18B20外观实物如图 DS18B20内部结构如图 DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速的暂存器RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPROM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和配置寄存器。 配置寄存器是配置不同的位数来确定温度和数字的转化，配置寄存器结构如下： R1和R0用来设置DS18B20的精度（分辨率），可设置为9，10，11或12位，对应的分辨率温度是0.5℃，0.25℃，0.125℃和0.0625℃。高速暂存存储器由9个字节组成： 当温度转换命令（44H）发布后，经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。存储的两个字节，高字节的前5位是符号位S，单片机可通过单线接口读到该数据，读取时低位在前，高位在后，数据格式如下： 如果测得的温度大于0，这5位为‘0’，只要将测到的数值乘以0.0625（默认精度是12位）即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为‘1’，测到的数值需要取反加1再乘以0.0625即可得到实际温度。 温度与数据对应关系如下： 比如我们要计算+85度，数据输出十六进制是0X0550，因为高字节的高5位为0，表明检测的温度是正温度，0X0550对应的十进制为1360，将这个值乘以12位精度0.0625，所以可以得到+85度。2.温度读取介绍 DS18B20时序包括如下几种：初始化时序、写（0和1）时序、读（0和1）时序。DS18B20发送所有的命令和数据都是字节的低位在前。这里我们简单介绍这几个信号的时序：（1）初始化时序 单总线上的所有通信都是以初始化序列开始。主机输出低电平，保持低电平时间至少480us（该时间的时间范围可以从480到960微妙），以产生复位脉冲。接着主机释放总线，外部的上拉电阻将单总线拉高，延时15～60us，并进入接收模式。接着DS18B20拉低总线60~240us，以产生低电平应答脉冲，若为低电平，还要做延时，其延时的时间从外部上拉电阻将单总线拉高算起最少要480微妙。初始化时序图如下：（2）写时序 写时序包括写0时序和写1时序。所有写时序至少需要60us，且在2次独立的写时序之间至少需要1us的恢复时间，两种写时序均起始于主机拉低总线。写1时序：主机输出低电平，延时2us，然后释放总线，延时60us。写0时序：主机输出低电平，延时60us，然后释放总线，延时2us。写时序图如下：（3）读时序 单总线器件仅在主机发出读时序时，才向主机传输数据，所以，在主机发出读数据命令后，必须马上产生读时序，以便从机能够传输数据。所有读时序至少需要60us，且在2次独立的读时序之间至少需要1us的恢复时间。每个读时序都由主机发起，至少拉低总线1us。主机在读时序期间必须释放总线，并且在时序起始后的15us之内采样总线状态。读时序图