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半导体安全评价报告

随着材料技术的不断发展，以III族氮化物为代表的第三代半导体村料在越来越多的领

域有了应用，例如半导体照明、高速移动通信等诸多领域的研究有了越来越多的突破。另

外，以III族氮化物为代表的第三代半导体和其它领域的交叉学科也愈发给研究者们带来了

更多的惊喜。目前发展地如火如荼的新能源产业和科技电器，乃至当前的国防军工等领域，

都能够见到越来越多的III族氮化物半导体的身影。但整体上我国对于III族氮化物半导体

的研究起步相对较晚，发展速度较慢。本文正是在这样的背景下，通过对III族氮化物第三

代半导体材料发展的分析梳理，提出相关的发展对策和建议，以期对我国的半导体产业发

展有所裨益。

1绪论

半导体材料的不断发展及其应用，对我们的日常生方式产生了不可估量的影响。以硅、

铬为代表的第一代半导体材料的开发以及实用使得我们打开了半导体的大门，尤其是在计

算机产业的发展过程中使得集成电路得以大规模的应用和发展。但随着现代社会对于半导

体材料性能的要求越来越高，从而引发了以GaAs以及InP为代表的第二代半导体开始逐

渐凸显其作为半导体的性能优势，在新世纪前后引发了又一次的电子工业革命，随着相关

技术的成熟人类开始进入了光纤通信以及高速宽带下的大数据信息化时代。但随着智能时

代的不断发展，尤其是现代科技对于半导体材料性能有了越发高的要求，由氮化铝、氮化

镓等所代表的第三代半导体材料开始逐渐从实验室走向市场化的实践过程，而其在市场化

过程中也越发显现其广阔的未来发展前景。从它们所显现出的物流和化学特征来看，第三

代半导体都是直接带隙半导体，能连续调节0.7-6.2eV带隙，同时它们都具有稳定的化学结

构、抗辐射和耐腐蚀等等优良的物理和化学性能。这些材料已经在实践中证明是发展光电

器件的非常合适的新型材料。可以预见的是，III族氮化物半导体在未来有着不可限量的发

展前景。

2III族氮化物材料简介

Ⅲ族氮化物，主要包括BN、AN、GaN、InN、AlGaN、GanN、AlnN和AlGaInN等，

经过对这些物质的物理和化学实验证明，它们都是宽带隙材料，其宽带隙能够覆盖的光波

段较广，除了一般地能够覆盖可见光波段之外，这些特殊III族氮化物还能覆盖很少见到的

紫外光谱。氮化物晶格普遍存在两种结构，一种是六方对称纤锌矿结构，另一种是立方对

称闪锌矿结构。如今对于III族氮化物材料的研究大多是针对两种结构的进行研究，尤其是

咋广电领域的应用上已经取得了较大的突破.专家们通过研究发现，六方对称纤锌矿结构和

立方对称闪锌矿结构在原子层面上的堆积方式存在着较大的差异，因此导致两者性质的呈

现截然不同，有很多性能表现可以说明这一点，例如，闪锌矿的对称性较好，但相对不稳

定，而纤锌矿的情况则与闪锌矿所表现出的性质正好相反.氮化物这一广泛的能带特性，可

大大地吸收太阳光中的光子，利用此材料特性制造的太阳能电池，可大大地提高光吸收效

率，从而提高光能产业的发电效率。与此同时，III族氮化物材料也常常用作在二极管、化

学传感器、晶体管等电子器件等高精度的零件的制作上，推动了半导体材料及其合金材料

在信息通讯以及广电领域的广泛应用。随着III族氮化物材料在市场发展过程中应用的越来

越成熟，相对于以往的第一代和第二代电子材料，III族氮化物材料的市场发展显示出巨大

的应用潜力，成为新世纪优秀材料体系的重要组成部分，如今也愈发受到了各国企业和科

研机构的重视，成为当前重要领域光电器件制备的热点材料。

3III族氮化物半导体材料及其制备

3.1BN半导体材料

氮化硼（BN）是由氮原子和硼原子所构成的晶体，具有较好的耐热性和耐火性，一般

将其用作导热材料。氮化硼（BN）晶体类型主要有四种不同的变体，这四种不同的变体又

按照晶型结构可以分为两类：一类为六方氮化硼（hBN）、三方氮化硼（rBN），它们所

呈现出的晶体类型与石墨所呈现的晶体类型相似。第二类晶型结构为纤锌矿氮化硼（wBN）

以及立方氮化硼（cBN），它们所呈现出的晶型与金刚石所呈现出的晶型结构类似。在20

世纪末期Paine首次将氨水溶液与聚硼氮烷混合制备出微米级气溶胶。经过此次实验之后，

越来越多的材料研究者开始将自身的研究重点转向了六方氮化硼的制备方法