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单晶硅生产制备方法大全

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法

本制造的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法

(CZ法)生长单

晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进展热氧化处理时，在环状发生OSF勺外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSFK域，也不属于富含品德间隙硅的I区域的硅单晶晶片。绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法

本制造公开了一种承受SIMOX术制造SOI材料的方法。通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增加集中效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消退的高品质的SOI材料。本制造还公

开了一种将离子注入非晶化处理应用到承受注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层。

分别单晶硅竭底料中石英的工艺

本制造属于半导体分别技术领域，特别是涉及一种分别单晶硅竭

底料中石英的工艺，包括以下步骤：a.将竭底料裂开，得到颗粒状的竭底料；b.用Si3N4涂料刷抹地竭底部和内壁，让其自然枯燥；c.把颗粒状竭底料放置在地竭内；d.装有颗粒状竭底料的培竭放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度上升至熔点温度后100c左右，保温10-30分钟，则颗粒状竭底料在培竭内重熔；e.在加热到达规定时间后，关掉电源，待自然冷却后，可得到已分别的硅与石英；本制造供给的分别单晶硅竭底料中石英的工艺方法，通过将混含有石英的竭底料放置在中频炉中高温加热熔融，利用硅的熔点低于石英熔点的特性，能够便利地将石英颗粒与硅液分别开，因此，本制造具有工艺简洁、生产安全、能耗低、分别效果好等优点。

单晶硅衬底上可动微机械构造单片集成的制作方法

本制造公开了一种单晶硅衬底上可动微机械构造单片集成的制作方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统构造器件的制造。它承受浓硼集中、光刻、深反响离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技术工艺，实现可动悬空与固定微构造都制作在同一单晶硅片上，到达可动微机械单片集成制作目的。本制造具有制造本钱低廉，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等优点，适合于光开关、

谐振器、加速度计等多种具有可动微构造器件的制作。直径

300mn^300mmz上的单晶硅晶片及其制造方法本制造涉及直径

300mnR300mn^上的单晶硅晶片，从外表到3微米以上的深度存在无COP勺无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过CZ法掺杂氮拉制直径300mnmi300mnmZ上的单晶硅时，将拉晶

速度设为V[mm/min],以G[K/mm康示从硅的熔点至1400c间的拉晶轴向的结晶内温度梯度平均值，将V/G[mrr/K2min]的值设为低于0.17以生长结晶；及一种单晶硅晶片的制造方法，对掺杂氮的直径300mmR300mnTZ上的硅单晶硅晶片进展热处理，在惰性气体或氢或它们的混合气体的环境下，进展1230c以上、1小时以上的热处理。由此，确立单晶硅拉晶条件及晶片的热处理条件，用于拉制直径300mnmi300mm^上的单晶硅并加工成晶片，并对晶片进展热处理，获得在表层的相当深度具有无COP的无缺陷层的单晶硅晶片。

抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置

在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中，其在生长炉〔1〕中通过提线〔7〕上拉品种〔Z〕来生长硅单晶〔Y〕,一个磁环〔12〕被安装在硅单晶上，一个电磁体〔8〕被固定于生长炉上以便上

拉磁环。

制备单晶硅片外表完整层的途径

本制造属于集成电路用半导体材料的制备技术.制造人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅.经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的外表完整层，为集成电路用硅材料供给了的可能途径.非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置

一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉，该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组，螺旋管的衔铁做成炉壁的外形，同时作为整个炉体的炉壁，并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭构造，螺旋管由升降器支撑，可以相对地竭做上下运动，拉品时，地竭

位于由螺旋管所产生磁场的上端或下端具有喇叭外形的非线性区域，

以获得对熔硅热对流的尽可能大的抑制效果，全封闭构造的炉壁兼作衔铁,使得用较小的直流功率源获得较大的磁场强度成为可能.

掺金、掺铝单晶硅互换热敏电阻及其制作方法

本制造供给一种掺金、掺铝单晶硅互换热敏电阻及其制作方法，属于温度敏感器

技术领域。它主要