单晶硅棒在拉制中的影响因素.docx

第一篇单晶硅棒在拉制中的影响因素一热循环的通畅

热循环就是气流的循环，从氩气输进到被真空泵抽走的一个循环过程。它的外在显示值即炉压〔真空泵的抽速与氩气输入量的平衡值〕组成局部，1氩气调整整个单晶硅棒拉制中热循环的流量和流速，是在拉晶过程中不行缺少的保护气体。〔属性惰性气体特点不易燃烧〕2真空泵稳压持续抽走炉内的气体挥发物，保持炉内真空平衡。由这两个系统所组成热循环系统的作用：有效的带走炉内沉积的挥发物，防止石墨器件及热场的氧化增加使用寿命。增加成晶硅溶面与内溶液温度差提高成晶速度。降低单晶硅棒在生产过程中的氧碳含量等，从而提高公司的产品质量。

二处于最良好状态下的热场

热场的作用效果是单晶生产中最奥义的地方，可以这么说要是能有一套完善的生产热场，公司的本钱成品率将是质的飞跃。1良好的保温局部，A热场中石墨保温筒连接的严密程度,B保温碳毡缠在保温筒的均匀度和严密度。2良好状态下的成晶温梯度由轴向梯度〔在热场内平面的整个温度值〕和纵向梯度〔在热场中纵面的整个温度值〕穿插所组成的成晶梯度温差网是否能够到达我们的要求，主要表达在，成晶速度快且均匀成晶状态好且稳定。

三稳定的电控系统

动力电是我们生产中不行缺少的组成局部，其作用和使用费用也是我们单晶生产中的重大资源开销。组成局部：1整流柜〔组成变压器快速熔断器可控规等〕功能调节电压把三项沟通电转化为我们需要的可调直流电，2功率补偿柜〔组成熔断器接触器电感线圈等〕功能降低无用损耗，提高功率因素。3晶体生长掌握柜调整用电的功率

〔电流电压〕由这三个局部组成拉可持续供电切稳定性格外强的电控系统。

四合理的单晶拉制工艺的设定

工艺的设定是依据具体的炉型热场的不同，从而不断对其生产自动流程的设定改进。1拉速工艺随着硅溶液在拉制过程中越来越少散热量越来越大，温梯差减小成晶速度减慢，为拉保持目标直径，的所以通过降低拉速拉进展调整，A初始拉速的设定。B降拉

速的幅度。2适当稳定的埚升补给，作用保持埚缝不变，也就是让成晶最正确位置不变。通过不定量〔拉速〕以一个定量〔埚根曲线〕调整的随动值A在进入坩埚TR角前的直壁补给〔定量补给〕进入TR角后的递增补给。作用调整单晶在生产过程中的固液转换

差，保持埚缝位置不变，永久处于最正确成晶位置，避开由于埚缝大小变化转变热循环的气流速度，造成温梯度网变化过大或过快，打破拉单晶在生长中的适宜环境。

五干净〔单晶炉原料等〕

干净在我们这行业虽然没有什么技术含量但却是重中之重。1在装料前对炉子热场的清理〔石墨件炉体等〕2在装料过程中避开消灭对原料的二次污染问题。在此不做过多的书写。

其次篇针对单晶硅棒影响因素的调整

连续屡次成晶失败，连续多天成品率过低的炉子。排解操作问题，原料问题，坩埚质量问题，设备问题，我就从单晶的影响因素中谈谈自己对炉子和热场可以转变的看法和意见。

—热循环的解决

大清炉检查，拿出全部炉内热场去除炉内热场及抽空管道沉积过多的挥发物检查各路管道的畅通问题，漏气问题，保证热循环畅通无阻。〔顺便看看石墨器件的损伤老化程度及保温系统是否良好〕

二温梯度的调整

1轴向梯度调整A转变导流罩口的大小从而转变成晶硅溶料受氩气作用影响的面积。B调整氩气大小从而转变热循环的流量流速加强或减弱温梯差效应。2纵向梯度A增加或削减导柱的高度B转变保温筒的高度，这样做从而转变加热器的相对位置，也就是器盖距，从加热器到盖板之间的距离〔导流罩深入加热器的距离〕3整体梯度对保温碳毡的缠绕层数进展调改。

电系统稳定性的观看11

1电控问题，检查在单晶生产过程中是否有因电流电压不稳造成功率翻跳变化，影响炉内温度不稳，联系电修查找消灭问题的缘由。2检查加热器与导柱的连接处是否正常良好〔主要是指有杂物和碳化硅〕或换一个加热器进展跟踪观看。

四工艺设定合理性的改进

1观看等径降拉速的合理适当性，不会由于拉速问题，影响成晶温度稳定，造成断线。〔降快了降多了温度就比正常成晶温度高，降慢了降少了温度就是比正常成晶温度低〕2埚升的补给是否能够到达埚缝大小的不变〔固然没有确定的不变，据本人多年观看在3毫米之内进展变动对单晶的影响还不算严峻〕然后依据状况和消灭问题的不同我们对现行工艺进展修改。〔首先要测核准拉速埚升是否为1：1状态也就是显示值和实际运行值是否一样〕

五不做无用书写只要记住本着我们最大的力量去清理炉体热场，以我们最大的限度去保持工作现场及原料的干净。

第三篇生产中特别状况的