模拟电子技术试卷五套(含答案).docVIP

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  • 2024-06-05 发布于江苏
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模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一

一、填空(16分)

1.半导体二极管的主要特性是___________。

2.三极管工作在放大区时,发射结为____偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。

3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____。

4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。

5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ=____、静态时的电源功耗PDC=______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。

6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)

1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()。

A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管

2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

3.在图示2差分放大电路中,若uI=2

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