2024年存储芯片行业专题研究:AI对存储晶圆产能消耗拉动显著.docxVIP

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  • 2024-06-07 发布于重庆
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2024年存储芯片行业专题研究:AI对存储晶圆产能消耗拉动显著.docx

2024年存储芯片行业专题研究:AI对存储晶圆产能消耗拉动显著

AI服务器消耗存储品圆测算

单台GB200NVL72包含36颗GraceCPU,72颗GPU。单颗GPU使用8颗HBM3E,单颗容量3GB,堆叠层数8层。GB200LPDDR5x容量为480GB。

单台GB200NVL72HBM消耗晶圆(假设单片晶圆切割800颗3GBdie,整体HBM3E良率65%)=(B200数量*单颗GPU显存容量/单层DRAM容量)/(单片12寸wafer切割颗数*良率)

单台GB200NVL72LPDDR5x消耗晶圆(假设单片12英寸wafer能切出1βnmDDR516Gb1600颗,85%良率)=(单个GB200内存对LPDDR5x需求颗数*单颗封装容量)/(单片12寸wafer切割颗数*良率)

合计单台GB200NVL72HBM+LPDDR5x消耗晶圆片数:=单台GB200NVL72HBM消耗晶圆+单台GB200NVL72LPDDR5x消耗晶圆

SSD由于在传输速度、可靠性等方面的优势,随着价差与HDD逐步缩小,在AI服务器领域,基本全部使用SSD。在测算AI服务器对SSD需求时,我们以DGXH100为例,单台DGXH100服务器的SSD容量为34.56TB(2*1.92+8*3.84)。

单台DGXH100SSD消耗晶圆(假设单片12英寸wafer能切出176L1024GbTLC700颗,良率85%)=(H100数量*单台DGXH100SSD容量)/(单片12寸wafer容量*良率)

假设GPU出货量400万颗,对于DRAM的晶圆消耗片数为84.52万片(以GB200NVL72为例),对于NAND消耗的晶圆片数为23.23万片(以DGXH100为例)。

手机消耗存储晶圆测算

假设当前主流手机配置为8GB(RAM)+256GB(ROM),测算全部升级为16GB+512GB,假设全球手机销量12亿部

手机内存增加对于DRAM晶圆消耗增量=全球手机销量*单部手机增加的内存容量对于晶圆的消耗量=全球手机销量*(手机内存增加量/(单片12寸wafer切割容量*良率))

手机闪存增加对于NAND晶圆消耗增量=全球手机销量*单部手机增加的闪存容量对于晶圆的消耗量=全球手机销量*(手机闪存增加量/(单片12寸wafer切割容量*良率))

PC消耗存储晶圆测算

假设当前主流PC配置为16GB(RAM)+512GB(ROM),测算全部升级为32GB+1TB,假设全球PC销量2.5亿台

PC内存增加对于DRAM晶圆消耗增量=全球PC销量*单部PC增加的内存容量对于晶圆的消耗量=全球PC销量*(PC内存增加量/单片12寸wafer内存容量*良率))

PC闪存增加对于NAND晶圆消耗增量=全球PC销量*单部PC增加的闪存容量对于晶圆的消耗量=全球PC销量*(PC闪存增加量/(单片12寸wafer闪存容量*良率))

全球存储品圆产能

全球存储晶圆产能较为集中,DRAM晶圆产能主要集中在三星、海力士、美光中,NAND晶圆产能主要集中在三星、铠侠、海力士中。根据trendforce,截止2023年底DRAM月产能达到1351千片,NAND月产能达到1157千片。

从需求侧看,DRAM晶圆需求主要集中在服务器,移动市场,PC三部分,其中服务器占比36.71%,移动占比37.67%,PC占比11.95%,NAND需求主要集中在手持设备,企业级SSD,PCSSD三部分,其中手持设备占比32.17%,企业级SSD占比18.45%,PCSSD占比24.82%。

结论

服务器领域:假设2025年B系列出货量400万颗的情况下,HBM+LPDDR对于DRAM整体需求的拉动为5.21%,对于服务器领域DRAM的需求拉动为14.20%;SSD对于NAND整体需求的拉动为1.67%,对于服务器领域NAND的需求拉动为9.07%。

手机及PC:假设手机及PC的存储容量升级的需求分两年平均释放,则每年对于DRAM市场需求的拉动分别为10.89%、4.54%,对于NAND市场需求的拉动分别为14.53%、6.05%。

根据以上,2025年AI对于存储晶圆的消耗(包括服务器,手机PC存储容量增加)相较于2023年年末,DRAM与NAND市场的需求增量分别为20.64%、22.25%。2023年年末全球DRAM及NAND的月产能分别约为135.1、115.7万片,过去两年全球DRAM、NAND的峰值月产能分别为约为160、175万片左右结合2024年三大原厂的资本开支集中于HBM等高端领域,我们预计存储价格仍将处于上升通道中

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