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[高等教育]8_扩展电阻法测硅片微区电阻率变化

理学院应用物理系专业试验指导书

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试验八扩展电阻法测硅片微区电阻率变化

扩展电阻探针法用于定量测量某些半导体材料的局部点导率，空间区分率高测量取样体积为10-10cm3左右，测量重复精度优于1%。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量区分深度方向30nm以内电阻率的变化。因此，扩展电阻探针是硅材料及器件生产工艺质量测试手段，也可以用于砷化镓、化铟等其他半导体材料的电阻率分布测试。

一、试验目的

1、了解扩展电阻探针法的物理模型及测试原理；

2、学会用扩展电阻探针法测量硅单晶片微区电阻率的不均匀性；

3、把握硅片小磨抛技术；测量离子注入、集中和外延片中电阻率在深度方向的分布。

二、试验原理

扩展电阻，又叫集中电阻，它的根本现象是从点接触二极管中觉察的。金属探针与均匀半导体形成压力接触〔探针外形及尺寸如图8.1所示〕且半导体的线度相对于探针和半导体的接触

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图8.2辐射状电流示意图

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半径r 而言可视为穷大，假设有电流从探针流入半

0

导体，则电流在接触点集中，而在半导体中沿?方向呈辐射状，如图8.2所示。

直径

直径0.5mm

图8.1探针外形及尺寸

此时探针止半导体底端的电阻可由微分电阻累加而得。

Rs=△R+△R

+?+△R

2 ?

=???

?

Ri 〔8.1〕

式中每个小电阻是距离接触中心为r 处的半球

i

面的微分电阻，即

〔8.2〕

式中?为电阻率。

△R i=

? 1

2?r2 r

?i

?

当?r?0时，〔8.1〕式可变换为积分形式

?? 1 ?

〔8.3〕

R =r2?r2 dr=

0S

0

2?r

0

假设把积分分为r~r和r~r两个区域，r~r范

0 1 1 ? 0 1

围内的总电阻R 为

0?1

? ???

? ?

R =2??r

1? ?

??r? 2?r

?

?

? r?

?r??1? 0?

?

r

?

〔8.4〕

0?1

? 0 1?

r

0? 1?

既r~r的奉献只占电阻的

1 ?

0r。由此可见整

1

个电阻主要集中在探针接触点四周，因而这个电阻又叫集中电阻或扩展电阻。上面的分析是假定探针和半导体接触后，接触面呈半球状。如图

8.2所示。在实际应用中，探针的直径通常为0.5mm左右,针尖的椎角为45°左右，针尖的曲

率半径r

0

为20um左右，见图8.1。这样小的针

尖与半导体接触时探针尖要产生微小的变化，因

此探针与半导体的接触面更接近于以a为半径的圆盘，如图8.2所示，在金属半导体接触电势差与接触电阻可以无视的状况下，可以计算出理想的扩展电阻值为

〔8.5〕

R ? ?

s0 4?

其中a为探针与半导体接触的圆盘半径。?值可以由下式求得：

??1 ?1 1 ??

?

〔8.6〕

??1.1? F?r

??2 0

?E?

? 1

E??

?2??? 12

?

式中，F是加在接触探针上的压力，E 、E

1 2

是两种接触材料的杨氏模量。

试验中可以通过显微镜测量压压痕来估量?值的大小，但压痕并非是抱负的圆盘。由于针尖的构造毛糙，压痕是很多接触点集合组成的。另外，上面的争论建立在金属探针与半导体完全欧姆接触的抱负状况上，实际上金属于半导体接触后，由于它们之间功函数的差异，都程度不同的存在接触电势差，在探针与半导体接触出会形成势垒。此时，金属探针与半导体之间的总电阻，即实际测得的扩展电阻可表示为

〔8.7〕

R?R ?R

s S0 b0

式中，Rb0是接触电阻，无法从理论上计算。因此由于实际接触不是抱负的

平面欧姆接触，需对〔8.7〕式用试验的校正因子K进展校正，既

〔8.8〕

R?KR K ?

?4?s S0

?

4?

?式中K值和无法求出的值都是R~?关系的比例

?

S

系数，K还是样品电阻率的函数，所以一般通过

试验来确定R

S

~?校正曲线。有了校正曲线，只要

测扩展电阻值，就可以从校正曲线上查处对应的电阻率。

确定校正曲线的方法如下：

〔1〕先选电阻率处于测量范围的单晶片作标准样品。在每个样品上进展20次以上的扩展电阻测量，检验其电阻率的均匀性。标准偏差小于10%则认为该标准样品可用。标准样品应与被测有一样的外表状态、导电类型和晶向。

用四探针准确测量标定个标准样品的电

阻率。

四探针测量区域内，至少作20次