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中文摘要

密实的多稀土掺杂钙钛矿型电子陶瓷的研究

本文采用混合氧化物法制备了Sr和稀土元素Tb共掺杂的BaCeO，Tb和Ce共掺杂

3

的BaTiO3以及Tb和Dy、Ce共掺杂的BaTiO3陶瓷。使用X射线衍射(XRD)、扫描电子显

微镜(SEM)、能量色散X射线谱(EDX)、拉曼光谱(RS)、电子顺磁共振(EPR)、X光电子能

谱(XPS)和介电测试手段探索了陶瓷的固溶度、晶体结构、微结构、元素价态、离子位占据

以及陶瓷中的缺陷化学。成功制备出了满足X9V、X8U、Z4T、X4S介电指标的电介质材

料。主要内容分为以下四方面：

(1)在1400°C烧结条件下制备出了单相(BaSr)(TbCe)O(x=1和1.5)(简称BSTC1

3-xx3-xx9

和BSTC3/2)陶瓷。其中BSTC1陶瓷具有三方钙钛矿结构，BSTC3/2陶瓷具有正交钙钛矿

结构，两陶瓷的相对密度约为93%，晶粒尺寸约为0.2~3μm。A位Ba/Sr和B位Ce/Tb在

钙钛矿中随机无序排列，并且浓度分布均匀。EPR、XPS和电学测试结果证实，Ce离子在

BSTC陶瓷中以Ce4+形式存在，Tb离子以Tb4+和Tb3+形式存在，氧空位的存在以及局部有

序性仍然需要进一步探究。在室温下两个BSTC陶瓷表现出类半导体性质，掺杂量对电导

率随温度变化的关系影响很小；电导率随温度变化迅速；室温下的电导率随频率变化缓慢。

(2)空气中烧结12h，烧结温度1400°C的情况下制备了Tb、Ce共掺杂陶瓷(BaTb)(Ti

1-xx1-

Ce)O(BTTC)。Ce在BTTC中的固溶度为x0.02，说明A位掺杂Tb会降低Ce在B

5x/4x3

位的固溶度。将烧结温度提高到1450°C重新制备(BaTb)(TiCe)O(x=0.04，简称

1-xx1-5x/4x3

BTTC4-1)，结果仍有CeO2析出，表明A位掺杂Tb时提高烧结温度也不能使Ce很好地并

入BaTiO的B位。在1450°C条件下制备了(BaTb)(TiTbCe)O(BTTTC-1)陶瓷，

31-xx0.96-5x/4x0.043

结果表明BTTTC-1陶瓷中Ce的固溶度大于等于0.04。

(3)在1450°C下制备的(BaTb)(TiTbCe)O(BTTTC)系列陶瓷具有较高的固溶

1-xx0.96-xx0.043

度(x=0.05)，并且BT4TTC的密实度较高，相对密度约为91.4%。室温下BT1TTC呈现四

方钙钛矿结构，其余样品均呈现立方钙钛矿结构。EPR结果表明：当掺杂量较小时，Ce以

Ce4+占据Ti位，Tb以Tb4+和Tb3+分别占据Ti位和Ba位；当掺杂量增大时，Ce逐渐以

Ce3+和Ce4+形式分别占据Ba位和Ti位，而Tb则大部分以Tb3+形式占据Ti位。介电测试

结果显示：随着着掺杂量的增大，居里温度以-16°C/at.%的速率快速下降，所有样品的介电

损耗都大于0.04。BT5TTC样品满足X9V(-82%≤(ε-εRT)/εRT≤22%)介电指标，介电峰值

出现在62°C附近，最大介电常数为εmax=3104，此时相应的介电损耗为tanδ=0.08。

(4)在1400°C