SJ∕T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52038-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.11—2015

代替SJ/T2658.11—1986

半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part11:Responsetime

2015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.11—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：——第1部分：总则；

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；——第6部分：辐射功率——第7部分：辐射通量——第8部分；辐射强度

——第9部分：辐时强度空间分布和半强度角；

——第10部分，调制带宽——第11部分响应时间；

——第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽；——第13部分：辐射功率温度系数

——第14部分：结温；——第15部分：热阻；

——第16部分：光电转换效率。

本部分为SJT2658的第11部分。

本部分按照GBT1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。

本部分代替了SA2658.11—1986《半导体红外发光二极管测试方法脉冲响应特性的测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下：

——响应时间的定义中补充了半导体红外发射二极管的响应过程图(见图1);

——修改了响应时间的测量原理图(见图2);——修改了响应时间的测量步骤(见5.2)

——补充了响应时间测量方法的规定条件(见53

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：——SJ/T2658.11—1986。

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SJ/T2658.11—2015

半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注刁期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

响应时间responsetime

在规定的正向矩形脉冲电流作用下，被测器件辐射的光脉冲对作用的矩形电流脉冲的响应时间。其中，从电脉冲幅度的10%到光脉冲幅度的10%所需的时间间隔为开通延迟时间d(on);从光脉冲幅度的10%上升到90%所需的时间间隔为上升时间t;被测器件的开通时间1为开通延迟时间ta(on)与上升时间t?之和；从电脉冲幅度的90%到光脉冲幅度的90%所需的时间间隔为关断延迟时间ta(orm,从光脉冲幅度的90%下降到10%所需的时间间隔为下降时间t;关断时间to为关断延迟时间taor)与下降时间t之和(见图1)。

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SJ/T2658.11—2015

相对输入脉冲电流(%)

相对输出辐射功率(%)

说明：

td(on)——开通延迟时间；

t上升时间；

ton开通时间(开通延迟时间taon)与上升时间t之和);

td(o关断延迟时间；

tf下降时间；

ofr关断时间(关断延迟时间tum与下降时间tr之和)

注：图中0%对应的辐射功率是在直流偏置电流下的输出功率，100%对应的辐射功率是辐射脉冲顶端获得的平均输出功率。

图1器件响应过程图

4一般要求

测量响应时间的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5测量方法

5.1测量原理图

器件响应时间的测量原理图见图2。

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SJ/T2658.11—2015

DUT

PD

+

G?

+

G?

+

G?

Ra