- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
ICS33.180CCSM33
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11856.1—2022
光纤通信用半导体激光器芯片技术规范
第1部分:光源用法布里-泊罗型及分布式
反馈型半导体激光器芯片
SpecificationforsemiconductorlaserchipusedinopticalfibercommunicationPart1:Fabry-Perotanddistributedfeedbacksemiconductorlaserchip
01实施202301--2022-10-20
01实施
202301
--
中华人民共和国工业和信息化部发布
I
SJ/T11856.1—2022
目次
前言 II
引言 IV
1范围 1
2规范性引用文件 1
………………
………………
筛选
7.3出厂检验 9
7.4型式检验 9
8包装、标志、产品说明书和贮存 11
8.1包装 11
8.2标志 11
8.3产品说明书 11
8.4贮存 11
9其他 11
II
SJ/T11856.1—2022
附录A(规范性)波长分配表12
III
SJ/T11856.1—2022
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件是SJ/T11856《光纤通信用半导体激光器芯片技术规范》的第1部分。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本文件起草单位:武汉光迅科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、华工正源光子技术有
IV
SJ/T11856.1—2022
引言
光纤通信用半导体激光器芯片作为光通信模块的核心、基础组成部分,为光通信产业规模化发展和产业运行安全提供重要保障。开展光通信芯片的标准制定工作,统一和规范光纤通信用半导体激光器芯片的关键参数,有利于推动我国光通信相关产业链规范化发展,及时满足光通信网络快速规模部署需求。SJ/T11856旨在规范光纤通信用半导体激光器芯片的术语和定义、缩略语、技术要求、可靠性要求、测量和试验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。由于不同芯片的应用场景,工作机理和技术参数等存在较大差异,因此制定本系列标准,拟由五个部分构成。
——第1部分:光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片。
——第2部分:光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片。——第3部分:光源用电吸收调制型半导体激光器芯片。
——第4部分:光源用布拉格反射器可调谐半导体激光器芯片。——第5部分:单模泵浦半导体激光器芯片。
1
SJ/T11856.1—2022
光纤通信用半导体激光器芯片技术规范
第1部分:光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片
1范围
本文件规定了光纤通信用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片(以下简称“芯片”)的术语和定义、缩略语、分类、技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。
本文件适用于10Gbaud(NRZ)、25Gbaud(NRZ)和25Gbaud(PAM4)光纤通信系统中法布里
-泊罗激光二极管(FP-LD)和分布反馈激光二极管(DEB-LD
2规范性引用文件
下列文件中的内容过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2828个计数抽样检验程序第1部分,按接收质量限AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T2548=2008光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法
GB/T1958-2015半导体激光器总规范GB/T3125-2015半导体激光器测试方法
GB/T33768-2017通信用光电子器件可盘性试验方法
GB/T35010.3-2018半导体芯片产品第3部分,操作、包装和贮存指南SJ/T2749-2016半导体激光二极管测试方法
您可能关注的文档
- SJ_T 11763-2020 半导体制造设备人机界面规范.docx
- SJ∕T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件 第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范.docx
- JTS 105-1-2011 港口建设项目环境影响评价规范.docx
- SJ_T 11874-2022 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序.docx
- SJ∕T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法.docx
- SJ_T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范.docx
- SJ∕T 11586-2016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法.docx
- SJ∕T 11702-2018 半导体集成电路串行外设接口测试方法.docx
- SJ∕T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率.docx
- SJ_T 11875-2022 电动汽车用半导体集成电路应力试验程序.docx
- SJ∕T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.docx
- SJ∕T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分:热阻.docx
- SJ_T 11848-2022 半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范.docx
- SJ∕T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压.docx
- SJ_T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分:测试方法.docx
- NBT 20199-2013 滨海核电厂液态放射性流出物辐射环境影响评价技术规范.docx
- SJ∕T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽.docx
- YST 1105-2016 半导体封装用键合银丝.docx
- SJ∕T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.docx
- HJ 130-2014 规划环境影响评价技术导则 总纲.docx
最近下载
- 训练基地信息化系统维保项目方案投标文件(技术方案).doc
- 人教版道德与法治三年级上册第5课《 走近科学家》第2课时 他们离我们并不遥远 教学课件.pptx VIP
- 黄浦区卢湾中学能源审计报告.pdf VIP
- HDJH30-120J型架桥机说明书.doc
- 5.2用圆设计图案(表格式)教学设计 人教版六年级上册数学.docx VIP
- 航空集装器知识 .pdf VIP
- SHT-3012-2011 石油化工金属管道布置设计规范.pdf VIP
- AI赋能教育的思考与应用 教师培训课件.pptx VIP
- sfz jd2015数据库数据真实性鉴定.pdf VIP
- 公司中层领导人员任职回避和公务回避管理实施细则.docx VIP
文档评论(0)